[发明专利]曝光用掩模、图案复制方法有效
申请号: | 201210020733.2 | 申请日: | 2005-08-11 |
公开(公告)号: | CN102520577A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 杉本文利 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;G03F1/36;G03F1/32 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;郭晓东 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 曝光 用掩模 图案 复制 方法 | ||
1.一种曝光用掩模,其特征在于,具有:
掩模衬底,
掩模图案,其形成在所述掩模衬底上,而且在内部包括一个辅助图案;而且,
在既位于该掩模图案内部又位于该辅助图案外侧的区域的光透射率,比该辅助图案内部的光透射率以及该掩模图案外侧的光透射率都低或者都高,该掩模图案的外形为顶点数目比该辅助图案还少的多角形,该辅助图案的尺寸比分辨率极限还小,
所述掩模图案具有在第一方向上长的等宽的形状,所述辅助图案也具有在第一方向上长的形状,该辅助图案在其至少一侧端包括宽度比中央部还窄的部分。
2.根据权利要求1所述的曝光用掩模,其特征在于,所述辅助图案的顶点数目至少为6个。
3.根据权利要求1所述的曝光用掩模,其特征在于,所述辅助图案的沿着长度方向的一侧边,从一端到另一端为止,由一条直线构成,而另一侧边为阶梯状。
4.一种图案复制方法,其特征在于,包括:
经由掩模图案来曝光感光膜的工序,其中,所述掩模图案在内部包括一个辅助图案,而且,在既位于该掩模图案内部又位于该辅助图案外侧的区域的光透射率,比该辅助图案内部的光透射率以及该掩模图案外侧的光透射率都低或者都高,该掩模图案的外形为顶点数目比该辅助图案还少的多角形,该辅助图案的尺寸比分辨率极限还小,
显影被曝光的所述感光膜的工序;
所述掩模图案具有在第一方向上长的等宽的形状,所述辅助图案也具有在第一方向上长的形状,该辅助图案在其至少一侧端包括宽度比中央部还窄的部分。
5.根据权利要求4所述的图案复制方法,其特征在于,所述辅助图案的顶点数目至少为6个。
6.根据权利要求4所述的图案复制方法,其特征在于,所述辅助图案的沿着长度方向的一侧边,从一端到另一端为止,由一条直线构成,而另一侧边为阶梯状。
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