[发明专利]α型赛隆、发光装置及其用途

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于荧光体的α型赛隆(sialon)、利用了该α型赛隆的发光装置、照明装置、信号机以及图像显示装置。

背景技术

在专利文献1中公开了一种用于荧光体的α型赛隆。如其第0051段所示，发光效率为49至63。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-96882号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的为，第一目的是提供一种具有更高的发光效率的α型赛隆，第二目的是提供一种能够以高效率发光的发光装置。

用于解决课题的手段

达到上述第一目的的本发明的α型赛隆为，用通式：(M)_x(Eu)_y(Si)_12-(m+n)(Al)_m+n(O)_n(N)_16-n(其中，M是从Li、Mg、Ca、Y和镧系元素(除了La和Ce之外)中选出的至少包含Ca的一种以上的元素)表示的α型赛隆，α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径为5μm以上。

α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径与二次粒子的50％面积平均粒径之比，优选为0.56以上。

α型赛隆的一次粒子数与二次粒子数之比，优选为2.5以下。

α型赛隆的一次粒子的10％面积平均粒径，优选为3μm以上。

α型赛隆的一次粒子的10％面积平均粒径与二次粒子的10％面积平均粒径之比，优选为0.65以上。

α型赛隆的二次粒子的D50粒径(50％体积平均粒径)，优选为13μm以上至30μm以下。

达到上述第二目的的本发明的发光装置包括：发光光源和波长转换部件，波长转换部件包括：吸收由发光光源产生的近紫外光至蓝色光，并产生荧光的荧光体，荧光体是用通式：(M)_x(Eu)_y(Si)_12-(m+n)(Al)_m+n(O)_n(N)_16-n(其中，M是从Li、Mg、Ca、Y和镧系元素(除了La和Ce之外)中选出的至少包含Ca的一种以上的元素)表示的α型赛隆，α型赛隆的一次粒子的50％面积平均粒径为5μm以上。

作为发光装置中的发光光源优选为，用于产生300nm～500nm波长的光的LED芯片。

优选为，荧光体包含：使Eu固溶于所述α型赛隆中的β型赛隆。或者，优选为，荧光体包含：使Eu固溶于所述α型赛隆中的β型赛隆，以及CaAlSiN₃。

其他目的的发明是一种照明装置、信号机以及图像显示装置。作为信号机的比如有配置在交叉路口的交通信号机、汽车和自动二轮车的方向指示器，作为图像显示装置的比如有用于在液晶面板上显示图像的图像显示装置、在幕布上显示图像的投影仪。

发明效果

根据本发明，能够提供具有高发光效率的α型赛隆，并能够提供具有高发光效率的发光装置、照明装置、信号机、液晶面板以及图像显示装置。

根据本发明的发光装置，由于其使用所述能够实现高发光效率的α型赛隆，因此能够提供一种高亮度的发光装置。

附图说明

图1是表示用于EBSD法测定的装置的结构示意图。

图2是模式化地表示本发明的发光装置结构的截面图。

图3是表示实施例1的α型赛隆的扫描电子显微镜图像(SEM图像；Scanning Electron Microscope图像)的图。

图4是表示实施例1的α型赛隆的利用EBSD法的EBSD图像的图。

图5是表示实施例2的α型赛隆的SEM图像的图。

图6是表示实施例2的α型赛隆的EBSD图像的图。

图7是表示实施例3的α型赛隆的SEM图像的图。

图8是表示实施例3的α型赛隆的EBSD图像的图。

图9是表示对实施例3所涉及的荧光体在波长598nm下的荧光强度进行测定时的激发光谱的图。

图10是表示比较例1的α型赛隆的SEM图像的图。

图11是表示比较例1的α型赛隆的EBSD图像的图。

符号说明

1：用于EBSD法的装置

2：扫描电子显微镜

2A：镜筒部

2B：台部

2C：台控制部