[发明专利]一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片

权利要求书

1.一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片，在InP衬底(1)上通过外延方法依次生长N型InP层(2)、铟镓砷本征吸收层(3)、N型InP帽层(4)和生长氮化硅扩散掩膜层(5)，然后腐蚀扩散掩膜层形成子像元扩散窗口区(6)，扩散形成子像元PN结区(7)和载流子侧向收集区(8)，在光敏元的两端生长单层Au形成P电极(9)，在芯片表面淀积二氧化硅形成增透层(10)，通过常规湿法腐蚀工艺打开P电极(9)孔，依次生长Cr、Au形成环形遮盖电极作为加厚电极(11)将所有子像元的P电极(9)引出并相连，芯片背面抛光后生长单层Au形成N电极(12)；其特征在于：

A.所述的子像元扩散窗口区(6)形状为矩形，数量大于等于2，一字型并排，其间距相同，控制为10～30μm；

B.所述的P电极(9)生长在子像元两端，并使用加厚电极(11)将两端的P电极连接；加厚电极为环形遮盖电极，内围尺寸与整个器件的光敏元大小保持一致；

C.所述的子像元PN结区(7)为浅结，深度大于N型InP帽层(4)的厚度0.1～0.2μm；

D.所述的铟镓砷本征吸收层(3)厚度为1～3μm。