[发明专利]一种隐脚式大功率LED支架及封装结构与封装工艺

权利要求书

1.一种隐脚式大功率LED支架，包括导电脚以及包裹所述导电脚的基座，所述基座的顶部形成一凹腔，所述凹腔底部固设一热沉，其特征在于：所述导电脚穿过基座的底面，所述导电脚的底面与所述基座的底面以及热沉的底面平齐。

2.根据权利要求1所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述导电脚包括焊盘以及沿焊盘向下折弯的延展部，所述延展部穿过基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折边，所述折边的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述焊盘与热沉之间预留有绝缘间隙。

3.根据权利要求2所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述基座为硅树脂制作。

4.根据权利要求3所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述导电脚包括正极导电脚以及负极导电脚，所述正极导电脚以及负极导电脚的焊盘位于凹腔的底部。

5.根据权利要求4所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述焊盘的上表面以及热沉的上表面设置有反光层。

6.根据权利要求5所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述热沉的顶部形成有一容置LED芯片的凹陷部。

7.根据权利要求6所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所绝缘间隙的宽度在0.1mm～0.3mm之间。

8.根据权利要求1所述的一种隐脚式大功率LED支架，其特征在于：所述导电脚是一立方体，所述导电脚的上端部为焊线区，所述导电脚的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述导电脚正对热沉的外侧面与基座的侧面平齐，所述导电脚与热沉之间预留有绝缘间隙。

9.一种采用如权利要求1所述的隐脚式大功率LED支架的隐脚式大功率LED封装结构，其特征在于：LED芯片固定在热沉上，所述芯片与所述导电脚电连接，所述封装胶体填充在所述凹腔内将LED芯片覆盖。

10.根据权利要求9所述的一种隐脚式大功率LED封装结构，其特征在于：所述导电脚包括焊盘以及沿焊盘向下折弯的延展部，所述延展部穿过基座的底部端面并在基座的底部端面形成一折边，所述折边的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述焊盘与热沉之间预留有绝缘间隙。

11.根据权利要求10所述的一种隐脚式大功率LED封装结构，其特征在于：其特征在于：所述基座为硅树脂制作。

12.根据权利要求11所述的一种隐脚式大功率LED封装结构，其特征在于：所述封装胶体为荧光胶体。

13.根据权利要求12所述的一种隐脚式大功率LED封装结构，其特征在于：所述导电脚是一立方体，所述导电脚的上端部为焊线区，所述导电脚的底面与热沉的底面以及基座的底面平齐，所述导电脚正对热沉的外侧面与基座的侧面平齐，所述导电脚与热沉之间预留有绝缘间隙。

14.一种如权利要求9所述的隐脚式大功率LED的封装工艺，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，预备并清洗LED支架；

第二步，将LED芯片固定在LED支架内的热沉上，然后进行烘烤；并将LED芯片与LED支架内的焊盘通过导线电连接；

第三步，在LED支架的凹腔内填充覆盖所述LED芯片的封装胶体，并进行烘烤；

第四步，通过自动卸料机裁剪形成单颗LED，并通过振盘输送到分光机进行分光；

第五步，将进行分光后的LED传送至编带机进行自动编带，然后完成外包装。

15.根据权利要求14所述的一种隐脚式大功率LED的封装工艺，其特征在于：所述第二步中的烘烤温度在120℃～175℃之间，烘烤时间在20min～30min之间。

16.根据权利要求15所述的一种隐脚式大功率LED封装的工艺，其特征在于：所述第三步中的烘烤温度在100℃～150℃之间，烘烤时间在10min～20min之间。

17.根据权利要求16所述的一种隐脚式大功率LED的封装工艺，其特征在于：所述第二步中的烘烤温度为150℃，烘烤时间为15min，所述第三步中的烘烤温度为120℃，烘烤时间为15min。