[发明专利]太阳能电池模块及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210019251.5 申请日: 2012-01-20
公开(公告)号: CN102769053A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 洪钟泾;俞在民;金泰润;李恩珠;文世泳;崔荣嫮;禹泰基 申请(专利权)人: LG电子株式会社
主分类号: H01L31/048 分类号: H01L31/048;H01L31/05;H01L31/18;H01L25/04
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;吕俊刚
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 模块 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明的实施方式涉及太阳能电池模块及其制造方法。

背景技术

本申请涉及2011年5月4日向韩国专利局提交的No.10-2011-0042284韩国专利申请的优先权,其完整内容在此通过引用并入。

作为获得生态友好型能源的方法,使用光电转换效应将光能转换为电能的太阳能发电技术已经得到广泛使用。由于太阳能电池的光电转换效率的提高,使用多个太阳能电池模块的太阳能发电系统已经安装在诸如房屋之类的多个地方。

太阳能电池模块包括:多个太阳能电池,每个太阳能电池通过阳光产生电流;以及保护部件,其布置在太阳能电池的上部和下部以保护太阳能电池免受诸如外部冲击和潮湿的外部环境的影响。

发明内容

在一个方面,提供一种太阳能电池模块,包括:多个太阳能电池;前基板,其设置在该多个太阳能电池的第一表面处;后基板,其设置在该多个太阳能电池的第二表面处;前保护部件,其设置在该前基板和该多个太阳能电池之间,该前保护部件包括第一硅树脂;后保护部件,其设置在该后基板和该多个太阳能电池之间,该后保护部件包括第二硅树脂;以及纤维材料,布置在该前基板和该后基板之间。

第二硅树脂的透射率可以小于第一硅树脂的透射率。换句话说,第一硅树脂的透射率可以大于第二硅树脂的透射率。此外,在短波长处,第一硅树脂的吸收可以小于第二硅树脂的吸收。

第一硅树脂在约300nm到500nm的波长处可以具有等于或者大于约70%的透射率。第二硅树脂在约300nm到500nm的波长处可以具有小于约70%的透射率。

第一硅树脂和前基板之间的粘接强度可以大于第一硅树脂和太阳能电池之间的粘接强度。此外,第二硅树脂和后基板之间的粘接强度可以大于第二硅树脂和太阳能电池之间的粘接强度。

第二硅树脂可以包括紫外光阻挡材料。

第一硅树脂、第二硅树脂和该纤维材料中的至少一个可以包括染料。

第一硅树脂和第二硅树脂可以具有相同的厚度。第二硅树脂的厚度可以大于第一硅树脂的厚度。

第一硅树脂、第二硅树脂和该纤维材料每个可以均分别具有约0.3mm到0.5mm的厚度。

该纤维材料的厚度可以小于第一硅树脂的厚度和第二硅树脂的厚度。

第一硅树脂和第二硅树脂可以由相同材料或者不同材料形成。

第一硅树脂和第二硅树脂之间的界面可以是不平坦表面。

该多个太阳能电池可以设置在第一硅树脂上,以及该多个太阳能电池的每个的侧部和上部可以被第二硅树脂覆盖。

该多个太阳能电池的每个的至少一部分可以埋置在第一硅树脂中,并且每个太阳能电池的除了埋置部分之外的剩余部分可以被第二硅树脂覆盖。

代替将每个太阳能电池的至少一部分埋置在第一硅树脂中,可以将设置在多个太阳能电池的第一表面处的互联器埋置在第一硅树脂中。

纤维材料的一个表面可以接触后基板。另选地,纤维材料的一个表面的至少一部分可以与后基板分离。纤维材料和后基板之间的空间可以用第二硅树脂填充。

可以将纤维材料设置的比接近太阳能电池更接近后基板。当将纤维材料布置的比接近太阳能电池更接近后基板时,入射在纤维材料上的光的量比当将纤维材料布置的比接近后基板更接近太阳能电池时的光的量更多。因此,增加纤维材料的反射效果,提高并且太阳能电池模块的效率。

该纤维材料可以具有网格形式并且,以及可以是玻璃纤维、石英纤维、石墨纤维、尼龙纤维、聚酯纤维、芳纶纤维、聚乙烯纤维、聚丙烯纤维、以及碳化硅纤维中的至少一种。

纤维材料的多个单独纤维之间的空间可以用第二硅树脂填充。

第一硅树脂和第二硅树脂的每个可以包括约50重量份的固化剂。

在另一个方面,提供一种制造太阳能电池模块的方法,该方法包括:在前基板的一个表面上涂覆液体第一硅树脂;硬化第一硅树脂;在硬化的第一硅树脂上布置多个太阳能电池;在该多个太阳能电池上涂覆液体第二硅树脂;在第二硅树脂上涂覆纤维材料;在该纤维材料上布置后基板;以及硬化第二硅树脂。

第一硅树脂和第二硅树脂可以在等于或者高于约80℃的温度(例如在约90℃到110℃)硬化。

当使用液体第一和第二硅树脂时,第一和第二硅树脂可以溢流到前基板之外。由此,可以使用围绕前基板的框架,以防止第一和第二硅树脂溢流到前基板之外。

当使用该框架时,可以在炉子中硬化第一和第二硅树脂。当不使用该框架时,可以使用炉子硬化第一硅树脂,并且可以使用层压装置硬化第二硅树脂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社,未经LG电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210019251.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top