[发明专利]一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法

权利要求书

1.一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)在衬底上淀积铝膜后，退火，再对铝膜进行阳极氧化；

2)去除步骤1)中所形成的阳极氧化铝膜及硅衬底表面上的二氧化硅点，即在样品表面形成较大尺寸的硅纳米点阵列；

3)对样品进行脱氧，即得无绝缘势垒层的大面积均匀小尺寸密度可控硅纳米点阵列。

2.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述衬底采用单晶硅。

3.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述在衬底上淀积铝膜的具体方法采用磁控溅射、热蒸发、电子束沉积中的一种。

4.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述退火的温度为350～550℃，退火的时间大于1h。

5.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述对铝膜进行阳极氧化可在酸溶液中对铝膜进行阳极氧化，在阳极氧化中，当氧化电压小于30V时，所述酸溶液采用硫酸溶液，所述硫酸溶液的浓度为15wt％；当氧化电压为30～80V时，所述酸溶液采用草酸溶液，所述草酸溶液的浓度为0.3M；当氧化电压为大于80V时，所述酸溶液采用磷酸溶液，所述磷酸溶液的浓度为1wt％～5wt％。

6.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述去除阳极氧化铝膜的氧化铝层，使用对硅不产生腐蚀的各种pH值小于4或大于10的酸碱溶液。

7.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述去除硅衬底表面上的二氧化硅点使用氢氟酸。

8.如权利要求1所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述脱氧在真空下进行，在超过300℃的温度下进行热处理去除水汽，然后升温至750℃以上的温度进行脱氧处理。

9.如权利要求8所述的一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法，其特征在于所述脱氧处理的时间大于20min。