[发明专利]去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，更具体地说，涉及一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法。

背景技术

MWT(Metal Wrap Through)译为金属发射极穿孔卷绕技术，是一种应用在太阳能电池中，通过激光或者其他方法在原硅片上实现穿孔的工艺，以达到经原电极引到同一面上的目的，通过减少汇流条的遮光面积增加电池的转化效率。

在P型硅片背面(非形成P-N结的一面)，通过扩散工艺，形成一个P+的高掺杂区域，又称为背场。带有背场的MWT太阳能电池中，太阳能电池的正面、背面都采用主栅、细栅设计，使得太阳能电池背面也能吸收光线，提高光线利用率。

带有背场结构的MWT太阳能电池，在制备的过程中，需要将硅片正面的栅线经过孔浆料引到硅片的背面，并在背面形成一个直径2～5mm的浆料点，以方便形成组件。正面栅线和背面栅线之间需要进行绝缘处理，由于背面扩散场的存在，过孔浆料点与硅片接触处会产生漏电现象，因此需要将漏电区域的背场除去，以解决此问题。

现有的一种去除带有背场结构的MWT太阳能电池背场的方法，在硅片需要去除背场的区域通过丝网印刷的腐蚀浆料，并进行烘干、清洗工艺，利用腐蚀浆料达到去除背场的目的，再对硅片进行后续工艺。采用此方法能够通过控制浆料浓度、印刷量及烘干等条件来控制腐蚀深度，较好的达到了去除背场的目的，然而该方法在带有背场的MWT太阳能电池生产过程中增加了丝网印刷、烘干和清洗工艺，工艺流程复杂，成本较高。

另一种带有背场的MWT太阳能电池去除背场的方法为利用掩膜(如SiO₂薄膜或SiN_X薄膜)的方法，在不需要去除背场的地方形成一层掩膜，再利用碱洗的方法去除无掩膜覆盖区域的背场。此种方法能够对无掩膜区域的背场较好的去除，但对掩膜质量有很高的要求，如果掩膜质量欠佳，则清洗过程中，碱溶液可能会对掩膜覆盖区域造成损伤；除此之外，此种方法还需考虑如何形成合适的掩膜形状，并且还要利用化学设备进行碱洗，增加了工艺复杂度和流程。

因此，如何简化带有背场的MWT电池的去除背场工艺，以利于双面发电MWT电池的生产成本控制，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，以实现简化带有背场的MWT电池的去除背场工艺，以利于双面发电MWT电池的生产成本控制。

为了达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，包括步骤：

1)在所述硅片的所述第一表面和第二表面均形成一层SiN_X膜，获得带膜结构的硅片；

2)在带膜结构所述硅片的第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿所述第一表面至所述第二表面的过料孔，获得打孔后的硅片；

3)由第二激光去除与所述指定位置相对的第一指定区域内第一预设深度的硅层，获得去硅层后的硅片；

4)对去硅层后的所述硅片进行丝网印刷、烧结，形成MWT太阳能电池片。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述过料孔的直径为50～500μm。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一指定区域的几何中心与所述过料孔的中心重合。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一指定区域为圆形区域。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一指定区域的半径为0.5～5mm。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一激光和所述第二激光均由脉冲激光器输出。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一激光和所述第二激光的波长为300～1600nm，所述第一激光和所述第二激光的脉冲长度为10ps～300ns，所述第一激光和所述第二激光的重复频率为100Hz～200KHz，所述第一激光和所述第二激光的光斑的直径为5～100μm。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，所述第一预设深度为0.2～30μm。

优选地，在上述去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法中，相邻两个所述第二激光的激光光斑之间有10～80％的重合。