[发明专利]去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法

权利要求书

1.一种去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，背场结构位于硅片的第一表面，其特征在于，包括步骤：

1)在所述硅片的所述第一表面和第二表面均形成一层SiN_X膜，获得带膜结构的硅片；

2)在带膜结构所述硅片的第一表面的指定位置由第一激光生成贯穿所述第一表面至所述第二表面的过料孔，获得打孔后的硅片；

3)由第二激光去除与所述指定位置相对的第一指定区域内第一预设深度的硅层，获得去硅层后的硅片；

4)对去硅层后的所述硅片进行丝网印刷、烧结，形成MWT太阳能电池片。

2.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述过料孔的直径为50～500μm。

3.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一指定区域的几何中心与所述过料孔的中心重合。

4.根据权利要求3所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一指定区域为圆形区域。

5.根据权利要求4所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一指定区域的半径为0.5～5mm。

6.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一激光和所述第二激光均由脉冲激光器输出。

7.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一激光和所述第二激光的波长为300～1600nm，所述第一激光和所述第二激光的脉冲长度为10ps～300ns，所述第一激光和所述第二激光的重复频率为100Hz～200KHz，所述第一激光和所述第二激光的光斑的直径为5～100μm。

8.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第一预设深度为0.2～30μm。

9.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，相邻两个所述第二激光的激光光斑之间有10～80％的重合。

10.根据权利要求1所述的去除带有背场结构MWT太阳能电池的背场的方法，其特征在于，所述第二激光采用振镜系统去除硅层。