[发明专利]电子轰击镀膜机在审

专利信息
申请号: 201210012537.0 申请日: 2012-01-13
公开(公告)号: CN102703867A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 叶宗锋;范继良;刘惠森 申请(专利权)人: 东莞宏威数码机械有限公司
主分类号: C23C14/30 分类号: C23C14/30
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 张艳美;郝传鑫
地址: 523000 广东省东莞市南城*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电子 轰击 镀膜
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种适用于对有机发光二极管中的基板进行镀膜的镀膜机,尤其涉及一种对有机发光二极管中的基板进行镀膜的电子轰击镀膜机。

背景技术

玻璃基材等薄板已广泛用于制造LCD-TFT显示屏、有机发光显示器件(OLED)面板、太阳能面板及其他类似者。于此类应用中大多在洁净玻璃上镀覆薄膜,这类大型玻璃基材的制程通常包含实施多个连续步骤,包括如化学气相沉积制程(CVD)、物理气相沉积制程(PVD)、有机物质蒸镀、磁控溅射沉积或蚀刻制程。

由于上述制程的工艺要求均比较严格,尤其是有机物质蒸镀制程,不但需要在完全洁净的空间环境中进行,而且对于玻璃基板的镀膜厚度的要求也相当严格,需要工作人员可以在镀膜过程中做到全程监控,随时了解镀膜层的厚度以使得镀膜后的玻璃基板的镀膜层厚度达到工艺所需要的均匀性要求。其中,在玻璃基板镀膜的过程中,会使用到镀膜机的蒸发源装置对有机物质进行蒸发,且镀膜机的蒸发源装置性能的好坏直接影响到玻璃基板镀膜层厚度的均匀性,因此,选择好的镀膜机的蒸发源装置是确保玻璃基板镀膜层具有均匀性的重要条件之一。但是,现有的镀膜机的蒸发源装置却存在如下的不足:

现有的镀膜机的蒸发源装置是把所有的有机物质集中的置于蒸发源装置的加热腔内,然后对蒸发源装置的加热板施加电流以使加热板发热进而把加热腔内的有机物质进行加热蒸发形成蒸发物质,蒸发物质通过蒸发源装置的蒸发源喷嘴后向四周扩散,扩散的蒸发物质贴附于玻璃基板以实现玻璃基板的镀膜。

然而,由于现有镀膜机的蒸发源装置是通过对加热板施加电流以使加热板发热进而把加热腔内的有机物质进行加热蒸发形成蒸发物质对基板进行蒸镀的,一方面使得热传导和热辐射损失大,降低了蒸发效率低;另一方面蒸发材料的加热较分散,相应地增加了蒸发材料的使用量,从而降低了蒸发材料的利用率;再者,蒸发材料被蒸发时的原子能较小,故使得成膜在基板上的膜层附着力较差,故影响到基板的镀膜质量;另,没法对一些难容的金属和非金属材料(如金、钨及二氧化硅等”进行蒸镀,故缩了现有镀膜机的适应范围。

因此,急需一种电子轰击镀膜机来克服上述的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子轰击镀膜机,该电子轰击镀膜机一方面能提高蒸发效率和蒸发材料利用率;另一方面使基板上的膜层附着力较好以提高基板的镀膜质量,还能扩大适用范围。

为实现上述目的,本发明提供了一种电子轰击镀膜机,适用于对基板蒸镀薄膜层,其中,所述电子轰击镀膜机包括腔体、抽真空装置、基板输送装置、蒸发源装置、膜厚监测装置及控制器。所述腔体内开设有提供真空环境的真空腔,所述抽真空装置与所述真空腔连通。所述基板输送装置设置于所述腔体上,所述基板输送装置承担基板于外界和所述真空腔之间的输送。所述蒸发源装置内置于所述真空腔内并位于所述真空腔内的基板正下方,所述蒸发源装置包括装置本体及内置于所述装置本体的电子枪、偏转电极和蒸发源承装器;所述电子枪位于所述装置本体内的左端,所述蒸发源承装器位于所述装置本体内的右端,所述偏转电极位于所述电子枪和蒸发源承装器之间,且所述装置本体的顶端分别开设有与所述电子枪对应的电子枪射出口、与蒸发源承装器对应的溅镀开口,所述偏转电极使所述电子枪发出的电子束穿出电子枪射出口并射入所述溅镀开口进而使该电子束蒸发所述蒸发源承装器内的蒸发材料。所述膜厚监测装置包括膜厚监测仪,所述膜厚监测仪设置于所述真空腔内,且所述膜厚监测仪位于所述蒸发源装置和所述真空腔内的基板之间。所述控制器分别与所述抽真空装置、电子枪、偏传电极、基板输送装置及厚膜监测仪电性连接。

较佳地,所述腔体包括相连通的副腔体和主腔体,所述主腔体位于所述副腔体的正上方,所述蒸发源装置设置于所述副腔体的真空腔内,所述基板输送装置承担基板于外界与所述主腔体的真空腔之间的输送,所述膜厚监测仪设置于所述副腔体的真空腔内并位于所述蒸发源装置的上方,且所述膜厚监测装置还设置有与所述膜厚监测仪连接的第一穿通装置,所述第一穿通装置与所述控制器电性连接并设置于所述副腔体上。其中,借助上述的副腔体及主腔体形成的腔体,一方面便于腔体的加工并能降低其制造成本,还便于对蒸发源装置的安装维护和基板输送装置对基板的输送;借助上述的第一穿通装置以确保膜厚监测仪能更可靠地工作。

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