[发明专利]用于CMOS图像传感器的线结合内插板封装及其制造方法无效
申请号: | 201210012092.6 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103151360A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | V.奥加涅相 | 申请(专利权)人: | 奥普蒂兹公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;卢江 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 cmos 图像传感器 结合 插板 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器封装,包括:
装卸器组件,所述装卸器组件包括:
具有相对的第一和第二表面的晶体装卸器,其中所述晶体装卸器包括腔体,所述腔体形成到第一表面中使得所述腔体具有限定至少一个台阶表面的阶梯侧壁,所述至少一个台阶表面向内延伸到所述腔体里面,以及
多个导电元件,所述多个导电元件均通过所述晶体装卸器从所述至少一个台阶表面延伸到第二表面;
设置在腔体中的传感器芯片,其中所述传感器芯片包括:
具有前和后相对表面的基板,
形成在前表面处的多个光电检测器,以及
形成在前表面处的电耦合到光电检测器的多个接触焊盘;
多个线,所述多个线均在接触焊盘中的一个和导电元件中的一个之间延伸并且电连接所述接触焊盘中的一个和导电元件中的一个;以及
设置在腔体上并且被安装到晶体装卸器的基板,其中所述基板对至少一个范围的光波长是光学透明的。
2.如权利要求1所述的图像传感器封装,进一步包括:
多个表面安装互连,所述多个表面安装互连均设置在晶体装卸器的第二表面上,并且均电连接到导电元件中的一个。
3.如权利要求2所述的图像传感器封装,其中对于每一个导电元件:
导电元件在第一导电焊盘中的所述至少一个台阶表面处终止,其中所述线中的一个被连接到第一导电焊盘;以及
导电元件在第二导电焊盘中的第二表面处终止,其中所述表面安装互连中的一个被连接到第二导电焊盘;
其中第一和第二导电焊盘均具有比导电元件的横向尺寸大的横向尺寸。
4.如权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述传感器芯片进一步包括:
安装在光电检测器上的多个滤色器和微透镜。
5.如权利要求1所述的图像传感器封装,其中基板具有这样的表面:所述表面的一部分设置在光电检测器上并且是非平面的。
6.如权利要求1所述的图像传感器封装,其中所述多个导电元件通过介电材料与晶体装卸器绝缘。
7.如权利要求1所述的图像传感器封装,其中:
所述腔体具有设置得比台阶表面高的第一部分和设置得比台阶表面低的第二部分;
第二部分具有比第一部分的横向尺寸小的横向尺寸;以及
传感器芯片设置在第二部分中。
8.如权利要求7所述的图像传感器封装,其中传感器芯片完全设置在第二部分内。
9.一种封装传感器芯片的方法,所述图像传感器包括具有前和后相对表面的基板,形成在前表面处的多个光电检测器,以及形成在前表面处的电耦合到光电检测器的多个接触焊盘,所述方法包括:
提供具有相对的第一和第二表面的晶体装卸器;
将腔体形成到第一表面中使得所述腔体具有限定至少一个台阶表面的阶梯侧壁,所述至少一个台阶表面向内延伸到所述腔体里面;
形成均通过所述晶体装卸器从所述至少一个台阶表面延伸到第二表面的多个导电元件;
将传感器芯片插入腔体中;
在传感器芯片和所述多个导电元件之间附贴多个线使得每个线在接触焊盘中的一个和导电元件中的一个之间延伸并且电连接所述接触焊盘中的一个和导电元件中的一个;以及
将基板安装到晶体装卸器使得基板被设置在腔体上,其中所述基板对至少一个范围的光波长是光学透明的。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包括:
形成多个表面安装互连,所述多个表面安装互连均设置在晶体装卸器的第二表面上,并且均电连接到导电元件中的一个。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述多个导电元件中的每一个被如此形成使得:
导电元件在第一导电焊盘中的所述至少一个台阶表面处终止,其中所述线中的一个被连接到第一导电焊盘;以及
导电元件在第二导电焊盘中的第二表面处终止,其中表面安装互连中的一个被连接到第二导电焊盘;
其中第一和第二导电焊盘均具有比导电元件的横向尺寸大的横向尺寸。
12.如权利要求9所述的方法,其中基板具有这样的表面:所述表面的一部分设置在光电检测器上并且是非平面的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的