[发明专利]一种有效提高蒸镀质量的掩模板及其制备工艺无效
申请号: | 201210010782.8 | 申请日: | 2012-01-16 |
公开(公告)号: | CN103205700A | 公开(公告)日: | 2013-07-17 |
发明(设计)人: | 魏志凌;高小平;郑庆靓 | 申请(专利权)人: | 昆山允升吉光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C22C38/08;C23F1/02 |
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地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有效 提高 质量 模板 及其 制备 工艺 | ||
1.一种有效提高蒸镀质量的掩模板,包括掩模板本体,所述掩模板本体上设有图案开口,其特征在于:所述掩模板本体的材质为4J36因瓦合金。
2.如权利要求1所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述4J36因瓦合金按重量百分比含64%的Fe和36%的Ni。
3.如权利要求2所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述4J36因瓦合金为面心立方结构。
4.如权利要求1所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述掩模板本体上镍铁合金镀层的均匀性为5%~10%。
5.如权利要求4所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述镍铁合金镀层表面光亮度为一级光亮。
6.如权利要求1所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述掩模板厚度在0.05~0.1mm,所述图案开口尺寸为30~180μm。
7.如权利要求7所述的有效提高蒸镀质量的掩模板,其特征在于:所述图案开口尺寸为50~100μm。
8.一种掩模板的制备工艺,其特征在于,其包括如下步骤:
1)对芯模进行表面处理;
2)在所述芯模表面贴膜;
3)曝光、显影;
4)采用蚀刻液进行蚀刻;
5)褪膜。
9.根据权利要求8所述的掩模板的制备工艺,其特征在于:步骤1)中采用喷砂工艺对掩模板进行表面处理,过板速度1000~2000mm/min,喷砂压力2kg/cm2,砂目数100~1000目,喷砂种类为金刚砂。
10.根据权利要求8所述的掩模板的制备工艺,其特征在于:步骤4)进行蚀刻时,过板速度30~40Hz, 蚀刻温度30~60℃; 蚀刻液成分如下:蚀刻脱膜碱当量1~5mol/L,蚀刻比重1~6g/cm3 ,蚀刻三价铁含量100~350g/L,蚀刻pH 1~1.5。
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