[发明专利]电铸掩模板定位点的制作方法

权利要求书

1.一种电铸掩模板定位点的制作方法，包括电铸工艺阶段和蚀刻工艺阶段，其特征在于，所述电铸工艺阶段包括：芯模前处理、贴膜、曝光、显影和电铸；所述蚀刻工艺阶段包括：贴膜、曝光、蚀刻、脱膜、水洗、烘干、涂黑胶、剥离。

2.   根据权利要求1所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述膜前处理包括对芯模的贴膜面进行喷砂处理。

3.根据权利要求2所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述电铸工艺阶段的曝光在曝光机中进行，按原始文件曝黑开口图形区域，并在图形区域的四角处曝黑对角位置的至少2个对位点；所述显影包括显影曝光好的芯模并清除未曝光干膜。

4.根据权利要求3所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述电铸的参数如下：

氯化镍                10-20 g/L；       

硼酸                  40 g/L；

镍添加剂              8-10ml/L；

光亮剂               1ml/L；

镍湿润剂              1-2 ml/L；

温度T                 50℃；

电流                  2 A；        

时间                       240min；

pH                    4.2；

得到电铸层的厚度为0.04-0.12mm。

5.    根据权利要求4所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述贴膜包括对电铸后的芯模烘干后，直接在正反面贴膜。

6.     根据权利要求5所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述蚀刻工艺阶段的曝光在曝光机中进行，通过CCD定位电铸前曝黑的对位点，在铸层干膜面曝黑两个对角位置上的定位点及深度标识块外的全部区域；所述深度标识块在电铸层的边缘。

7.根据权利要求6所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，在所述蚀刻包括通过千分尺控制定位点和深度识别块的蚀刻深度在0.03-0.07mm；蚀刻参数为蚀刻压力45±1psi，蚀刻速度35-15HZ，氯化铁蚀刻液比重1.38-1.46，所述定位点的深度小于电铸层的厚度。

8.根据权利要求7所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述脱膜、水洗和烘干包括完成蚀刻工艺后，进行脱膜处理，清除铸层表面的干膜，水洗烘干。

9.根据权利要求8所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述涂黑胶和剥离包括用黑胶对半蚀刻的定位点盲孔进行封堵，最后将加工完成的电铸掩膜板与芯膜剥离。

10.根据权利要求9所述的电铸掩模板定位点的制作方法，其特征在于，所述黑胶高度不超过铸层表面；所述黑胶为高分子材料，主要成分为环氧树脂，并含有适量的硅微粉作为填充剂。