[发明专利]一种聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜的制备方法有效
申请号: | 201210008575.9 | 申请日: | 2012-01-12 |
公开(公告)号: | CN102522463A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 牛海军;郝丽苹;张琳;白续铎 | 申请(专利权)人: | 黑龙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 金永焕 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 甲基 苯二胺 片状 粒子 薄膜 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种铂粒子球薄膜的制备方法。
背景技术
自从O′Regan和Gratzel在1991年报道了相对高的太阳能转换效率为8%~11%的染料敏化太阳能电池(DSSC),DSSCs已引起了广泛的科学和技术的兴趣。DSSCs由于其的高转换效率以及低成本,已经成为最有前途的的光伏器件之一。一般来说,DSSC包括三个主要部分组成:一块染料覆盖的纳米晶二氧化钛薄膜的透明导电玻璃基底,I-/I3-的有机溶剂作为电解质,和一个对电极。高电化学活性的对电极是一个增强DSSC性能的重要条件,其主要用于收集电子,还有一个主要作用是催化作用,加快I-/I3-以及阴极电子之间的电子交换速度,因此需要进行对电极的修饰,以提高其催化性能。目前主要采用的修饰方法是铂修饰,通常由负载有铂催化剂的导电玻璃构成,铂可使对电极电解液界面上的电荷迁移快速高效进行,抑制暗电流,提高电池的开路电压。但是铂的昂贵和稀有,导致这种电极制备成本较高。聚苯胺及其衍生物由于其易合成,高导电性,和独特的氧化还原性质,作为对电极是很有潜力的导电聚合物之一。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有铂电极作为对电极成本高问题,而提供一种聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜的制备方法。
本发明的一种聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜的制备方法是按照以下步骤进行的:
一、将导电玻璃浸入水中,超声处理10~20min,然后取出用水清洗1~2次;将上述清洗后的导电玻璃浸入丙酮溶液中,超声处理10~20min,然后取出用水清洗1~2次;再浸入蒸馏水中,超声处理10~20min,然后在50℃~80℃温度下干燥0.5~2min;其中,超声处理的超声频率为40~50KHz;
二、取纯铂片放入浓硝酸中,加热至沸腾后保持1~3min,然后冷却至室温,待用;
三、以经步骤一处理后的导电玻璃作为工作电极,以经步骤二处理的纯铂片作为对电极,另取Ag/AgCl电极作为参比电极,置于电解液中,使用循环伏安法,在电压为-0.5~1.8V,扫描速度为15~25mV/s-1,电压循环次数为55次的条件下,进行电化学聚合,即得聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)薄膜;
四、以步骤三得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)薄膜为工作电极,以经步骤二处理的纯铂片作为对电极,另取Ag/AgCl电极作为参比电极,置于电解液B中,使用循环伏安法,在电压为-0.5~1.8V,扫描速度为15~25mV/s-1,电压循环次数为10~40次的条件下,进行电化学聚合,即得聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜;其中,步骤三所述的电解液A为0.1~0.5mol/L的5-三氟甲基-1,3-苯二胺的硫酸溶液;步骤四所述的电解液B为0.001~0.01mol/L的铂氯酸溶液。
本发明的有益效果为:通过电化学方法合成了聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)薄膜,并以该聚苯胺薄膜为基底诱导形成片层球状铂粒子膜。聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜作为染料敏化太阳能电池的对电极,相对于热解法镀铂有着载铂量低,催化活性强的作用。
附图说明
图1试验5得到的热解法制备的Pt对电极SEM形貌;
图2试验1得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜SEM形貌;
图3试验1得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜放大80倍的SEM形貌;
图4试验2得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜SEM形貌;
图5试验2得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜放大80倍的SEM形貌;
图6试验3得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜SEM形貌;
图7试验3得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜放大80倍的SEM形貌;
图8试验4得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜SEM形貌;
图9试验4得到的聚(5-三氟甲基-1,3-苯二胺)/片状铂粒子球薄膜放大80倍的SEM形貌;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的