[发明专利]聚苯胺薄膜电极的制备方法

权利要求书

1.聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于聚苯胺薄膜电极的制备方法是按下述步骤进行的：

步骤一、按苯胺与HCl的摩尔比为1∶(1～5)将苯胺与摩尔浓度为1.0～3.0mol/L的稀盐酸混合均匀，然后置于水浴中，温度控制在0～25℃，边搅拌边逐滴滴加过硫酸铵，过硫酸铵与苯胺的摩尔比为1∶(0.5～2)，滴加时间为1～3h，继续搅拌4～6小时，过滤，将过滤的滤饼置于质量浓度为6％～10％的氨水中浸泡8～24h，过滤后用去离子水洗涤至洗液为中性，真空干燥得本征态聚苯胺；

步骤二、向30～50mL的溶剂中加入0.2～0.3g的还原剂，混合均匀，然后边搅拌边加入步骤一获得的本征态聚苯胺直至配成饱和溶液；

步骤三、将泡沫镍放入饱和溶液中浸泡8～24小时或者反复浸泡，然后真空干燥5～8小时；即得到聚苯胺薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤一所述苯胺与HCl的摩尔比为1∶(2～4)。

3.根据权利要求1所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤一所述苯胺与HCl的摩尔比为1∶3。

4.根据权利要求2所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤一所述的过硫酸铵与苯胺的摩尔比为1∶1。

5.根据权利要求2所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤一所述的过硫酸铵与苯胺的摩尔比为1∶1.5。

6.根据权利要求1～5中任一项权利要求所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤二所述还原剂为柠檬酸、抗坏血酸或草酸。

7.根据权利要求1～5中任一项权利要求所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤二所述的溶剂是N，N-二甲基甲酰胺、氯仿、二甲基亚砜中的一种或其中几种与N-甲基吡咯烷酮的混合物。

8.根据权利要求1所述的聚苯胺薄膜电极的制备方法，其特征在于步骤三所述的反复浸泡是重复进行浸泡后晾干，每次浸泡1～2小时，重复操作10～50次。