[发明专利]IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签无效

专利信息
申请号: 201210001758.8 申请日: 2012-01-05
公开(公告)号: CN102637259A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 杨保和;孙素娟;徐晟;李翠平 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 廖晓荣
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: idt aln 金刚石 多层 膜结构 表面波 射频 识别 标签
【说明书】:

【技术领域】 

发明属于自动识别技术和信息存储传输技术领域,是一种基于IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别(SAW-   RFID)的标签的设计,其可以应用于代电子学、声学、微电子工艺技术和雷达信号处理技术等的新成就领域。

【背景技术】。 

 射频识别的推广带来了零售、物流等相关产业革命性的变革,而声表面波射频识别(SAW-RFID)技术以声表面波器件为核心的射频识别技术,其克服了传统以IC芯片为核心的射频识别设备的一些缺点,并且具有无源,识别距离远,能识别高速运动的物体等特点,非常适用于车辆不停车收费识别,路标识别,铁路车辆车号识别;以及列车准确停靠控制等系统。 

SAW标签被称为第二代射频标签,由单晶结构的谐振器与标签天线组成,与传统IC标签相比具有很多优势。 

(1) 高频无源SAW标签标签与阅读器相互距离较大时的可靠读取标签信息,可达10米;因此高频无源SAW标签可以代替用电池驱动的高成本有源IC标签。一次准确识别时间约1ms左右。 

(2)克服了读取信号可能被液体和金属阻断的情况,可使用在金属和液体产品上;标签不仅可贴在非金属物体,也可贴在金属物体上。 

(3)标签天线与标签芯片匹配简单,制作工艺成本低; 

(4)具有识别+传感的双重功能,如温度传感器、压力传感器、汽体传感器、扭力矩传感器、角速度传感器(陀螺仪)等。

SAW标签的技术原理如图1所示。SAW标签是由叉指换能器和若干反射器与标签天线组成,换能器的两个汇流条与电子标签的天线相连接。RFID读写器的天线发送高频询问脉冲信号,在SAW标签天线的接收范围内,被接收到的高频脉冲通过叉指换能器转变成声表面波,反射器组对入射表面波部分反射,并返回到叉指换能器,叉指换能器又将反射声脉冲串转变成高频电脉冲串。如果将反射器组按某种特定的规律设计,使其反射信号表示规定的编码信息,那么读写器接收到的反射高频电脉冲串就带有该物品的特定编码,通过读写器解调与处理,达到自动识别的目的。 

但是基于SAW技术的射频标签的技术发展仍然存在两大问题:技术要求和成本问题。 

技术方面:SAW标签需要在达到大容量、低辐射、高速度的同时实现器件的小型化。SAW标签的编码延迟一般不能超过2至4μs,如果我们需要制作一个32 ~128位的数据容量的标签,就需要16~64MHz的带宽。而这样的带宽要求只有在标签频率达到2.45GHz或者更高频率才能获得。因此技术层面上,首先是要求标签向高频率、大带宽方向发展,开发超高频或者微波波段(2.45GHz、5.8GHz)的声表面波标签。 

成本问题:高频率声表面波标签的成本问题是制约声表面波标签发展的一个主要问题。由声表面波的基本原理,我们可以知道: 

SAW器件中心频率F=V/λ,V表示材料中的SAW相速度,而V= ,所以F= /λ,  这里,E、ρ 和λ分别表示材料的弹性模量、材料的质量密度和声波的波长,波长λ由叉指换能器(IDT)电极宽度d决定,λ=4d。

想要获得高频率的标签,就必须通过提高声表面波的波速或减小电极宽度来实现。由上面的介绍可以看出,减小电极宽度必须使用高性能的光刻设备,是以牺牲标签的制造成本作为代价的,显然不可取,本发明就是针对技术和成本问题进行解决,采用多层膜结构的SAW标签可以有效的提高标签容量,且多层膜结构在相同标签的识别频率下其叉指的电极宽度较宽,因此再采用刻蚀技术制作叉指是可以有效的降低标签成本。 

【发明内容】 

本发明的目的是为了解决现有技术中的问题,而提供一种基于IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签。 

为实现上述发明目的,本发明公开了一种IDT/AlN/金刚石多层膜结构声表面波射频识别(SAW-RFID)标签,包括单端口谐振器与倒F天线,其特征在于所述单端口谐振器采用IDT/AlN/金刚石多层膜结构形式。该结构谐振器的特点是在叉指宽度相同的情况下,能够获得比传统压电单晶或压电陶瓷基片高3~5倍的中心频率。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学,未经天津理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210001758.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top