[发明专利]IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签

权利要求书

1.一种IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，包括单端口谐振器与倒F天线，其特征在于所述单端口谐振器为IDT/AlN/金刚石多层膜结构；所述倒F天线在两平行臂之间的连接段ac 间并联一个电阻R和一个电容C。

2. 按照权利要求1所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/AlN/金刚石多层膜结构中，是在硅衬底上采用微波等离子CVD法制备金刚石膜，其沉积厚度大于由该标签中心频率所决定的声表面波3倍波长。

3.按照权利要求1所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/AlN/金刚石多层膜结构中，是在金刚石膜上采用磁控射频溅射系统制备C-轴取向的AlN薄膜，其厚度为1/5~1/4个声表面波波长。

4.按照权利要求1所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述IDT/AlN/金刚石多层膜结构中，是在AlN薄膜上使用电子束蒸发系统制备Al膜，再用光刻系统刻蚀Al膜制成叉指换能器IDT和反射栅。

5.按照权利要求4所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述叉指换能器IDT的电极宽度为0.5μm~1.5μm，叉指换能器IDT厚度为50nm~120nm。

6.按照权利要求4或5所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述反射栅是由多个、间距在0.5μm~1.5μm之间选择的独立指条组成；反射栅厚度为50nm~100nm。

7.按照权利要求1-6所述的任一IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于所述倒F 型天线的天线振子水平部分为螺旋天线形式。

8.按照权利要求7所述的IDT/AlN/金刚石多层膜结构的声表面波射频识别标签，其特征在于天线是由杨白铜制成。