[发明专利]一种对晶片中心进行定位的光学对中系统及其对中方法无效
申请号: | 201210001264.X | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN103199045A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 刘正伟 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 中心 进行 定位 光学 系统 及其 方法 | ||
1.一种对晶片中心进行定位的光学对中系统,其特征在于:包括对射式激光传感器(1)、真空吸盘(3)、Y轴移动伺服控制系统(4)、X轴移动伺服控制系统(5)及底板(6),其中X轴移动伺服控制系统(5)安装在底板(6)上,Y轴移动伺服控制系统(4)设置在X轴移动伺服控制系统(5)上;需对中的晶片(2)通过真空吸盘(3)安装在Y轴移动伺服控制系统(4)上,具有沿X轴和Y轴的轴向往复移动的自由度;所述对射式激光传感器(1)安装在底板(6)上、位于所述晶片(2)的上方。
2.按权利要求1所述对晶片中心进行定位的光学对中系统,其特征在于:所述Y轴移动伺服控制系统(4)通过X轴移动伺服控制系统(5)的驱动沿X轴的轴向往复移动,所述真空吸盘(3)设置在Y轴移动伺服控制系统(4),需对中的晶片(2)安装在该真空吸盘(3)上、与真空吸盘(3)一起通过Y轴移动伺服控制系统(4)的驱动沿Y轴的轴向往复移动,并且随Y轴移动伺服控制系统(4)一起沿X轴的轴向往复移动。
3.按权利要求1所述对晶片中心进行定位的光学对中系统,其特征在于:所述对射式激光传感器(1)通过支架安装在底板(6)上。
4.一种按权利要求1、2或3所述对晶片中心进行定位的光学对中系统的对中方法,其特征在于:先通过标准晶片来确定晶片半径、对射式激光传感器(1)在X轴Y轴坐标系中的位置以及晶片(2)的运动速度,移动晶片(2),通过对射式激光传感器(1)对晶片(2)的两次响应时间和晶片(2)的运动速度,得出对射式激光传感器(1)扫描的弦长,然后计算出晶片(2)的实际中心与理论中心在X轴和Y轴方向的偏心值,在Y轴移动伺服控制系统(4)及X轴移动伺服控制系统(5)的驱动下,使晶片(2)的实际中心与理论中心重合。
5.按权利要求4所述的对中方法,其特征在于:所述对射式激光传感器(1)在X轴Y轴坐标系中的坐标为(X0、Y0),晶片(2)的实际中心为O,理论中心为O0,晶片(2)的半径为R;所述晶片(2)先沿Y轴方向移动,对射式激光传感器(1)从Y1点开始响应,到Y2点结束;通过对射式激光传感器(1)的响应时间及晶片(2)的运动速度,得出晶片(2)的弦长|Y1-Y2|,弦长的一半晶片(2)实际中心O与所述弦之间的距离因此晶片(2)实际中心O与理论中心O0在X轴方向的偏心值晶片(2)实际中心O与理论中心O0在Y轴方向的偏心值然后Y轴移动伺服控制系统(4)及X轴移动伺服控制系统(5)分别驱动晶片(2),使实际中心O与理论中心O0重合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造