[发明专利]一种内埋置电容器的印刷电路板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及印刷电路板（PCB）及其制造方法，尤其是一种内埋置电容器的印刷电路板及其制造方法。 

背景技术

随着电子产品的发展，目前的表面组装技术（SMT）广泛应用于微电子组装与封装，一般而言，一个典型的SMT工艺中，无源元器件占据约整个PCB基板40%及以上的面积，制约了电子产品向小型化、多功能、低成本、高性能方向的发展。根据国际半导体路线图（ITRS），基板内埋置无源器件技术（EPT）作为系统封装(SIP)的一种高级形式，相比于无源器件的表面组装技术（SMT）具有明显优势。 

内埋置无源器件作为微电子表面组装（SMT）的一种高级形式，由于工艺技术的发展和有些电路设计对埋置无源器件的要求，要求更小的埋置体积和特殊条件下更薄的埋置式PCB，更高的电性能；同时也要求无源器件包括电阻和电容，分别需要更高的电阻值和更高的电容量。 

公开号为CN1468448“具有埋置电容器的电子封装及其制造方法”的专利中公开了一种在硅衬底上埋置电容技术，其中硅衬底对工艺固化温度要求较高，限制了埋置工艺的实施和成本的降低；公开号为CN101170869的专利中公开了一种“埋置电容器的印刷电路板及其制造方法”，该方法埋置的电容下极板直接与铜箔或电路层相连，然而其工艺限制了其电容量的增加；公开号为CN1738513“包括嵌入式电容器的印刷电路板及其制造方法”中公开了一种增大电容的有效对应面积的叠层电容来增加电容量的埋置电容级制造方法，该方法要求的层压工艺步骤较多。 

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，迎合电子产品小型化、多功能、低成本、高性能的主流发展方向，而提供一种具有高电容量的内埋置电容器的印刷电路板及其制造方法。 

本发明的目的是通过下述的技术方案来实现的： 

一种内埋置电容器的印刷电路板，包括电容器、多个电路层、以及多个分别设置在各电路层之间的绝缘层，所述的绝缘层包括第一基板层和第二基板层，电容器设置在第二基板层中且位于第一基板层的上表面处，与现有技术不同的是：电容器的两极为两个梳齿状交错排列的电容极片，两个电容极片的上表面设有穿过第二基板层的微通孔，微通孔的连接端设置在第二基板层的表面上与电路层连接。

所述第一基板层为FR-4环氧树脂。 

所述第二基板层为FR-4环氧树脂或聚酰亚胺。 

制造上述内埋置电容器的印刷电路板的方法，包括 

（a）提供绝缘层第一基板层，在第一基板层上旋转旋转涂覆介电质材料，轻度固化形成介电层；

（b）在介电层上旋转旋转涂覆光刻胶，轻度固化；

（c）光刻胶曝光，定义两个梳齿形电容极片图形，然后蚀刻介电质材料，形成两片相互交错排列的梳齿形电容极片沟槽；

（d）移除介电层表面的光刻胶；

（e）在两个梳齿形电容极片的沟槽和介电层表面电镀铜，形成种子层；

（f）移除介电层上表面的全部电镀铜所形成的种子层，形成两片相互交错排列的梳齿形电容极片；

（g）介电层表面旋转旋转涂覆光刻胶；

（h）光刻胶曝光，移除两个电容极片轮廓外多余的介电质材料；

（i）移除曝光后的光刻胶，得到第一基板层表面上的两片相互交错排列的梳齿形电容器；

（j）（对制作出的梳齿形电容进行表面处理，以增加元器件表面结合力，然后）在电容器的表面和第一基板层上旋转涂覆绝缘材料，形成第二基板层；

（k）在第二基板层的上表面旋转涂覆光刻胶，轻度固化；

（l）光刻胶曝光，刻蚀第二基板层，形成微孔；

（m）移除第二基板层上表面的光刻胶；

（n）在微孔壁上电镀铜，形成微通孔，同时在第二基板层的上表面形成种子层；

（o）在种子层的上表面旋转涂覆光刻胶；

（p）光刻胶曝光，刻蚀以去除第二基板层表面电镀铜形成的种子层镀铜，形成微通孔连接端；

（q）移除光刻胶，形成具有微通孔的内埋置电容的绝缘层。

固化温度为60-80℃。 

本发明的绝缘层制作完成后，在绝缘层上层压铜箔制作电路图形，即制作电路层，绝缘层内的内埋置电容器通过微通孔与电路层互联，重复以上步骤，层与层之间的互联通过导通孔连接，最终制作出内埋置电容器的印刷电路板。 

本发明具有以下优点： 

1. 减小封装体积，相对表面组装技术而言，可减少电子封装体积、节省材料，使电子产品更加小型化；