[发明专利]DRAM安全擦除

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年8月31日申请的韩国专利申请10-2011-0087736的权益，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本申请的主题涉及动态随机存取存储器(DRAM)，DRAM典型地配备作为特定的DRAM芯片以实现特定的功能，或配备作为DRAM宏功能单元以配备在还包含大量逻辑电路的其他类型的芯片中。更具体地，本申请涉及一种擦除存储在DRAM中的数据的方法。

背景技术

微电子元件(例如半导体芯片)是可以包含集成电路(包括有源半导体装置(例如晶体管、二极管等)以及提供点互连的布线)的薄的、平的元件。半导体芯片还可以或者可选地包括无源装置，例如电容器、电感或电阻。在特别的构造中，微电子元件可包含一个或多个半导体芯片，该一个或多个半导体芯片在其一个或多个表面上具有密封剂并且具有与一个或多个半导体芯片的触点电连接的导电元件，其中触点暴露在微电子元件的表面处。在一些情况中，微电子元件可以是包含一个或多个半导体芯片的扇出晶片级的微电子单元，其中，密封剂至少覆盖一个或多个半导体芯片的边缘，并且其中导电迹线沿一个或多个芯片的表面延伸至一个或多个芯片的边缘之外的密封剂的表面上。

半导体芯片可以配备具有用于存储器存储阵列和将数据写入到存储阵列以及读取存储在存储阵列中的数据的电路的动态随机存取存储器(以下称作“DRAM芯片”或“DRAM”)。在典型的常规DRAM的操作中，通过在每个存储器单元的存储电容器中存储高电压或低电压而将数据写入到存储阵列的存储器单元以及从存储阵列的存储器单元读取数据。在二进制数据体系中，高电压典型地表示存储“1”，低电压典型地表示存储“0”。DRAM是易失性存储器，以便只要DRAM保持通电并且在规定的间隔被刷新，则数据就保持存储在DRAM中的存储电容器中。当DRAM被断电时，则不再进行刷新，并且存储在存储电容器中的电压电平开始衰减。但是，存储在存储电容器中的数据不会立刻消失。相反地，在可以确认所存储的数据被擦除之前，DRAM可能需要保持断电若干分钟。

在典型的计算系统(例如台式机、笔记本，或平板电脑，以及智能手机)中，使用一个或多个DRAM芯片提供有源系统存储器以使能用于声音和显示处理以及大量的内置和用户选择附加的应用程序或“apps”(例如，互联网访问、媒体或音乐访问、文字处理、数据库访问、演示(presentation)等等)的有源系统操作。为了安全起见，存储在计算系统中的非易失性硬盘驱动或固态存储器驱动中的数据可被加密。但是，存储在有源系统存储器中的用于计算系统的有源操作的数据不被加密。

因为上述DRAM芯片的操作方式，即使计算系统断电之后，其中的有源系统存储器中的数据可以存留若干分钟。因此，甚至当笔记本或智能手机计算系统断电且无人看管，或被其他人留置时(例如，当用户经过机场安检时)，存在窃取计算系统的聪明的盗窃者可以访问仍然存留在计算系统的基于DRAM的有源系统存储器中的敏感数据的风险。

因此，期望快速擦除存储在DRAM芯片中的数据。这可以帮助防止从计算系统的有源系统存储器窃取数据。但是，常规的DRAM芯片不提供快速擦除数据的可靠方法。当数据需要被擦除时，典型的DRAM芯片使用常规的写操作来重写已经以高电压或低电压或以高电压和低电压的一些形式存储在DRAM芯片中的数据。由此，擦除整个DRAM芯片中的数据花费与将数据写入以填充整个DRAM芯片一样多的时间和资源。

擦除DRAM芯片中的数据的方法在以下参考文件提供的描述中：美国专利7,751,263；7,164,611；5,255,223；4,873,672；美国专利公布20090016133；韩国专利公布2009-0105093。

发明内容

根据本发明的方面，提供一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法。该方法可以包括：将DRAM阵列的字线设置为激活状态，由此使得电荷根据存储在存储器单元中的数据在联接至字线和各个位线的存储器单元之间流动，其中根据联接至字线和各个位线的存储器单元之间的电荷的流动在各个位线上形成信号。在保持连接至各个位线的读出放大器处于读出放大器不将信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，可将字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与字线联接的存储器单元中，由此擦除存储在与字线联接的存储器单元中的数据。可使用存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复以上步骤以擦除存储在所选范围中的数据。