[发明专利]非平坦晶体管以及其制造的方法

说明书

技术领域

本说明书的实施方案通常涉及微电子器件制造领域，并且更具体地涉及非平坦晶体管的制造。

附图简述

在本说明书的结论部分特别指出了本公开内容的主题，并且清楚地要求其权利。参考以下附图，根据以下的说明及所附的权利要求，本公开内容的上述以及其它特征将进一步变得显而易见。应当理解附图仅描绘了根据本公开内容的几个实施方案，因此，不应认为其是对保护范围的限定。通过使用附图，以更多的特征和细节说明本公开内容，这样可以更容易确定本公开内容的优点，其中：

图1是根据本说明书的一个实施方案的非平坦晶体管结构的透视图。

图2根据本说明书的一个实施方案，举例说明了沉积在非平坦晶体管的晶体管栅极和晶体管鳍(fin)上面的介电材料的侧面剖视图。

图3举例说明了在晶体管栅极和晶体管上由介电材料形成晶体管栅极间隔件和晶体管鳍间隔件之后，图2结构的侧面剖视图。

图4根据本说明书的一个实施方案，举例说明了在介电材料上形成帽盖(capping)材料层之后，图2结构的侧面剖视图。

图5根据本说明书的一个实施方案，举例说明了一部分帽盖材料层暴露形成牺牲层之后，图4结构的侧面剖视图。

图6根据本说明书的一个实施方案，举例说明了改变暴露的帽盖材料层之后，图5结构的侧面剖视图。

图7根据本说明书的一个实施方案，举例说明了其中帽盖结构在晶体管栅极上的介电材料上形成的图6结构的侧面剖视图。

图8根据本说明书的一个实施方案，举例说明了在定向蚀刻处理过程中图7结构的侧面剖视图。

图9根据本说明书的一个实施方案，举例说明了在定向蚀刻处理之后图8结构的侧面剖视图，其中在介电体从晶体管鳍除去的时候介电材料留在晶体管栅极上。

图10根据本说明书的一个实施方案，举例说明了用掺杂剂植入图9的鳍，形成源/漏结构。

图11根据本说明书的一个实施方案，举例说明了除去晶体管鳍之后图9结构的侧面剖视图。

图12根据本说明书的一个实施方案，举例说明了如图11所示除去晶体管鳍之后形成的源/漏结构的侧面剖视图。

图13根据本说明书的一个实施方案，举例说明了从晶体管鳍间隔件之间除去晶体管鳍而形成开口之后，图3结构的侧面剖视图。

图14举例说明了用源/漏材料填充晶体管鳍间隔件之间的开口之后，图13结构的侧面剖视图。

图15根据本说明书的一个实施方案，举例说明了用非定向蚀刻除去晶体管鳍间隔件期间图14结构的侧面剖视图。

图16根据本说明书的一个实施方案，举例说明了用非定向蚀刻除去晶体管鳍间隔件之后，图15结构的侧面剖视图。

图17所示为根据本发明的一个实施方案，形成不含间隔件的源/漏结构的方法的流程图。

图18所示为根据本发明的另一个实施方案，形成不含间隔件的源/漏结构的方法的流程图。

具体实施方式

在下面的详细说明中，以举例说明的方式参考了附图，显示了可以实施所要求权利的主题的具体实施方案。这些实施方案足够详细地进行了说明，使本领域技术人员能够实施主题。应当理解，各个实施方案尽管不同，并不一定互相排斥。例如，本说明书所述的具体特征、结构、或特性，涉及一个实施方案，仍可以在其它实施方案内实施，只要不偏离要求保护权利的主题的精神和范围。本说明书内所述的“一个实施方案”或“实施方案”是指针对实施方案说明的具体的特征、结构、或特性被包括在本发明范围的至少一个实施方案中。因此，使用术语“一个实施方案”或“实施方案”不一定必须指相同的实施方案。此外应当理解，每个所公开的实施方案内的单个因素的位置或布置可以修改，而不会偏离要求保护权利的主题的精神和范围。因此，以下的详细说明不应从限定意义上理解，主题的范围仅仅由所附的权利要求所定义，并且应与所附权利要求要求权利的等同物的所有范围一起进行合理解读。在附图中，类似的附图标记贯穿几个视图，表示相同或类似的元件或功能，并且其中描绘的因素不一定互相合乎比例，而是单个的因素可以放大或缩小，以便在本说明书语境中更容易理解所述因素。