[发明专利]光伏装置

权利要求书

1.一种制造光伏模块的方法，所述方法包括：

形成包括第一组分和第二组分的蒸气，其中，蒸气富含第一组分；以及

邻近于基底沉积蒸气作为半导体层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成蒸气的步骤包括使具有第一组分和第二组分的二元半导体源蒸发，其中，二元半导体源富含第一组分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，二元半导体源包括二元半导体粉末。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，二元半导体源是在使二元半导体源蒸发的步骤之前通过将附加量的第一组分添加到基本上纯的二元半导体源中以使所述源富含第一组分来形成的。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，附加量的第一组分是在使掺杂的二元半导体源蒸发的步骤之前通过用第一组分掺杂基本上纯的二元半导体源而被添加到基本上纯的二元半导体源中的。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，形成富含第一组分的二元半导体源的步骤包括：使基本上纯的碲化镉粉末与元素碲的粉末混合以形成富碲的碲化镉粉末，基本上纯的碲化镉粉末具有1:1的镉与碲之比。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，形成富含第一组分的二元半导体源的步骤包括：使基本上纯的碲化镉粉末与元素镉的粉末混合以形成富镉的碲化镉粉末，基本上纯的碲化镉粉末具有1:1的镉与碲之比。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，富碲的碲化镉粉末富含约0.005原子%和约20原子%之间的碲。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，富碲的碲化镉粉末富含约0.2原子%和约2原子%之间的碲。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，富镉的碲化镉粉末富含约0.005原子%和约20原子%之间的镉。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，富镉的碲化镉粉末富含约0.2原子%和约2原子%之间的镉。

12.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在沉积蒸气以形成半导体层的步骤之前，形成邻近于基底的透明导电氧化物层。

13.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在沉积蒸气以形成半导体层的步骤之前，形成邻近于透明导电氧化物层的硫化镉层。

14.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在形成透明导电氧化物层之前，形成邻近于基底的阻挡层。

15.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：在沉积蒸气以形成半导体层的步骤之前，形成邻近于透明导电氧化物层的缓冲层。

16.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：在沉积蒸气以形成半导体层的步骤之后，形成邻近于半导体层的背面接触金属。

17.根据权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

在形成透明导电氧化物层之后使基底退火；以及

在沉积蒸气以形成邻近于硫化镉层的半导体层之前，在退火的透明导电氧化物堆叠件上形成硫化镉层。

18.一种控制二元半导体层的性质的方法，所述方法包括：

使具有第一组分和第二组分的二元半导体源蒸发，其中，二元半导体源富含第一组分；以及

邻近于基底沉积蒸气作为半导体层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述半导体层的晶向不同于通过使基本上纯的二元半导体源蒸发而形成的第二半导体层的晶向。

20.根据权利要求19所述的方法，其中，基本上纯的二元半导体源包括具有1:1的镉与碲之比的基本上纯的碲化镉粉末。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，所述半导体层的平均晶粒尺寸小于通过使基本上纯的二元半导体源蒸发而形成的第二半导体层的平均晶粒尺寸。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，基本上纯的二元半导体源包括具有1:1的镉与碲之比的基本上纯的碲化镉粉末。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，所述半导体层的平均晶粒尺寸大于通过使基本上纯的二元半导体源蒸发而形成的第二半导体层的平均晶粒尺寸。