[发明专利]加热装置

权利要求书

1.一种加热装置，其包括：具有加热半导体的加热面的基座部，和设在所述加热面的外侧的环状部，所述加热装置的特征在于，

所述环状部由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，

所述基座部包括包围所述环状部的外周边缘的外周侧凸起。

3.根据权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，

所述环状部包括载置所述半导体的外周部的载置部。

4.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，

所述环状部包括设在所述载置部的外侧、包围所述半导体的非载置部。

5.根据权利要求4所述的加热装置，其特征在于，

所述非载置部由包围所述半导体的外周边缘的环状凸起构成。

6.根据权利要求1至5任一项所述的加热装置，其特征在于，

所述基座部与所述环状部被一体烧结。

7.根据权利要求1至6任一项所述的加热装置，其特征在于，包括：

设在所述基座部与所述环状部之间的中间层。

8.根据权利要求1至7任一项所述的加热装置，其特征在于，包括：

埋设到所述基座部的内部的发热体以及埋设到所述基座部的内部的高频发生电极。

9.根据权利要求1至8任一项所述的加热装置，其特征在于，包括：

接合到所述基座部的背面的支撑部。

10.根据权利要求1至9任一项所述的加热装置，其特征在于，

所述2θ为47～49°。

11.根据权利要求1至10任一项所述的加热装置，其特征在于，

所述陶瓷材料以氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相为副相。

12.根据权利要求11所述的加热装置，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（200）面及（220）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=42.9～44.8°、62.3～65.2°。

13.根据权利要求12所述的加热装置，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（111）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°。

14.根据权利要求1至13任一项所述的加热装置，其特征在于，

构成所述基座部的材质由以氮化铝、氧化钇或氧化铝为主相的陶瓷构成。

15.一种环状部，其设置在具有加热半导体的加热面的基座上，所述环状部的特征在于，

所述环状部由以镁、铝、氧以及氮为主要成分的陶瓷材料构成，该陶瓷材料以氮氧化铝镁相为主相，且使用CuKα线时的XRD波峰至少出现在2θ=47～50°。

16.根据权利要求15所述的环状部，其特征在于，包括：

包围所述半导体的外周边缘的环状凸起。

17.根据权利要求15或16所述的环状部，其特征在于，

所述2θ为47～49°。

18.根据权利要求15至17任一项所述的环状部，其特征在于，

所述陶瓷材料以氧化镁中固溶了氮化铝的MgO-AlN固溶体的结晶相为副相。

19.根据权利要求18所述的环状部，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（200）面及（220）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=42.9～44.8°、62.3～65.2°。

20.根据权利要求19所述的环状部，其特征在于，

所述MgO-AlN固溶体的使用CuKα线时的（111）面的XRD波峰出现在氧化镁的立方晶波峰与氮化铝的立方晶波峰之间的2θ=36.9～39°。