[发明专利]成形体、其制备方法、电子装置用部件及电子装置有效

专利信息
申请号: 201180050643.1 申请日: 2011-07-27
公开(公告)号: CN103249767A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 岩屋涉;近藤健 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C08J7/00 分类号: C08J7/00;B32B27/00;B32B27/30;C23C14/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 林毅斌;李进
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 成形 制备 方法 电子 装置 部件
【权利要求书】:

1. 成形体,所述成形体为具有阻气层的成形体,其特征在于,所述阻气层具有由至少含有碳原子、氧原子和硅原子的材料构成的表层部,在所述表层部中,相对于碳原子、氧原子、氮原子和硅原子的总存在量,碳原子的存在比例为超过0%且70%以下,氧原子的存在比例为10%以上且70%以下,氮原子的存在比例为0%以上且35%以下,硅原子的存在比例为20%以上且55%以下。

2. 权利要求1的成形体,其特征在于,上述阻气层为含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层,在40℃、相对湿度为90%的环境下的水蒸气透过率为1g/m2/天以下。

3. 权利要求2的成形体,其中,相对于聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的总量,丙烯酸类树脂的含量为0.1质量%以上且70质量%以下。

4. 权利要求1的成形体,其特征在于,上述阻气层具有向含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层中注入离子而得的层。

5. 权利要求4的成形体,其特征在于,上述离子为将选自氢、氮、氧、氩、氦、氖、氙、氪、硅化合物和烃的至少一种气体离子化而得的离子。

6. 权利要求4的成形体,其特征在于,在上述含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层中具有通过等离子体离子注入法注入离子而得的层。

7. 权利要求2的成形体,其特征在于,上述聚硅氮烷化合物为全氢化聚硅氮烷。

8. 成形体的制备方法,所述制备方法为制备权利要求1~7中任一项的成形体的方法,其中,具有如下的工序:向在表面部具有含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层的成形物的上述含有聚硅氮烷类化合物和丙烯酸类树脂的层的表面部注入离子。

9. 权利要求8的成形体的制备方法,其中,具有如下的工序:向在表面部具有含有聚硅氮烷类化合物和丙烯酸类树脂的层的成形物的上述含有聚硅氮烷类化合物和丙烯酸类树脂的层的表面部,注入选自氢、氮、氧、氩、氦、氙、氖、氪、硅化合物和烃的至少一种气体的离子。

10. 权利要求8的成形体的制备方法,其特征在于,上述注入离子的工序为通过等离子体离子注入法注入离子的工序。

11. 权利要求1~7中任一项的成形体的制备方法,其特征在于,在将表面部具有含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层的长成形物沿一定方向运送的同时,向上述含有聚硅氮烷化合物和丙烯酸类树脂的层中注入离子。

12. 电子装置用部件,所述电子装置用部件含有权利要求1~7中任一项的成形体。

13. 电子装置,所述电子装置具备权利要求12的电子装置用部件。

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