[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

在衬底上的透明电极层；

在所述透明电极层上的图案层，所述图案层包括多个规则地设置在透明电极层上的图案部；

在所述图案层上的CdS缓冲层，所述CdS缓冲层包括与所述图案部对应的第三图案；

在所述CdS缓冲层上的光吸收层，所述光吸收层包括与所述图案部对应的第一图案；以及

在所述光吸收层上的钼电极层，所述钼电极层包括与所述图案部对应的第二图案，

其中，所述透明电极层包括掺铝氧化锌，

其中，所述光吸收层包括选自CdTe、CuInSe₂、Cu(In,Ga)Se₂、Cu(In,Ga)(Se,S)₂、Ag(InGa)Se₂、Cu(In,Al)Se₂和CuGaSe₂中的至少一种，

其中，每个所述图案部包括与所述衬底平行的水平表面以及相对于所述钼电极层的倾斜侧面，

其中，一个图案部的倾斜侧面的下部末端连接到与该图案部相隔的另一图案部的倾斜侧面的下部末端，

其中，所述透明电极层的厚度为100nm至500nm，

其中，所述CdS缓冲层的厚度为50nm至150nm，能带间隙在2.2eV至2.4eV的范围内，

其中，所述透明电极层和所述CdS缓冲层为N型半导体，所述光吸收层为P型半导体，在所述透明电极层和所述光吸收层之间形成PN结，

其中，每个图案部的高度等于透明电极层的厚度，

其中，所述图案部的长度与所述图案部之间的长度相对应，

其中，所述第一图案包括与所述衬底平行的第一水平表面以及相对于所述光吸收层的第一倾斜侧面，

其中，所述第二图案包括与所述衬底平行的第二水平表面以及相对于所述钼电极层的第二倾斜侧面，

其中，所述第三图案包括与所述衬底平行的第三水平表面以及相对于所述CdS缓冲层的第三倾斜侧面，

其中，第一至第三图案具有与所述图案部相同的形状，

其中，所述CdS缓冲层、所述光吸收层和所述钼电极层具有与所述图案层对应的结构，

其中，在每个所述图案部的表面上额外地布置粗糙部，

其中，相邻图案部的中心之间的距离在2μm至4μm的范围内，

其中，每个所述侧面的倾斜角度小于由下面公式确定的角度：

其中，h表示所述透明电极层和所述图案层的厚度之和，d表示相邻的所述图案部的中心之间的距离。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述粗糙部的截面是多边形、球形、半球形和椭圆中的一种。