[发明专利]增强的晶圆载体有效
| 申请号: | 201180049258.5 | 申请日: | 2011-08-04 |
| 公开(公告)号: | CN103168353A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
| 发明(设计)人: | B.沃尔夫;Y.瑞史克夫斯基 | 申请(专利权)人: | 威科仪器有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人: | 段淑华;刘曾剑 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 增强 载体 | ||
1. 晶圆载体,包括具有朝向相反的顶面和底面的主体,所述主体具有复数个在所述主体的所述顶面开口的容纳部,所述载体限定面向上的支撑面,所述支撑面设置在所述主体的所述顶面下方的每个容纳部内,所述载体进一步包括与所述容纳部关联的锁合器,每个锁合器都具有面向下的锁定面及工作位置,在所述工作位置时所述锁定面延伸至关联容纳部内或关联容纳部的上方,使得位于所述容纳部内且搁置在所述支撑面上的晶圆至少部分地被所述锁定面限制其向上运动。
2. 根据权利要求1所述的晶圆载体,其中所述锁合器中至少一些是活动锁合器,相对于所述载体的所述主体,每个这种活动锁合器可从这种锁合器的所述工作位置移动至所述锁合器不阻碍向所述关联容纳部内装载晶圆的非工作位置。
3. 根据权利要求2所述的晶圆载体,其中所述主体具有在所述顶面与所述底面之间延伸的中心轴和在所述中心轴处适于与晶圆处理设备的可旋转主轴接合的接头,每个所述容纳部都具有中心,所述锁合器中至少一些是内锁合器,每个所述内锁合器在工作位置时,其锁定面距所述中心轴的径向距离小于从所述中心轴至所述关联容纳部的所述中心的距离。
4. 根据权利要求3所述的晶圆载体,其中,在每个容纳部内,所述载体在高于所述容纳部内的所述支撑面且低于所述顶面的高度上限定邻接件,每个容纳部内的所述邻接件适于与位于所述容纳部内的晶圆的边缘接合,并限制所述晶圆的水平移动。
5. 根据权利要求4所述的晶圆载体,其中每个容纳部内的所述邻接件包括复数个间隔开的邻接元件。
6. 根据权利要求5所述的晶圆载体,其中所述邻接部分包括位于所述容纳部的一部分内的至少两个邻接元件,所述容纳部的该部分距所述中心轴的径向距离大于从所述中心轴至所述容纳部的所述中心的径向距离。
7. 根据权利要求5所述的晶圆载体,其中所述锁合器在每个容纳部内限定至少一个所述邻接元件。
8. 根据权利要求7所述的晶圆载体,其中所述容纳部大致为圆形的,且复数个所述锁合器与每个所述容纳部关联,与每个容纳部关联的所述锁合器围绕所述容纳部彼此间隔开。
9. 根据权利要求2所述的晶圆载体,其中与每个容纳部关联的一个所述内锁合器设置在从所述轴至所述容纳部的所述中心延伸的径线上。
10. 根据权利要求2所述的晶圆载体,其中所述主体在每个容纳部内限定底表面,所述底表面设置在低于所述容纳部内的所述支撑面的高度上。
11. 根据权利要求10所述的晶圆载体,其中所述锁合器在每个容纳部内限定所述支撑面的至少一部分。
12. 根据权利要求11所述的晶圆载体,其中每个锁合器包括限定所述锁合器的所述锁定面的顶部、在所述关联容纳部内限定所述支撑面的一部分的底部、及在所述顶部与所述底部之间延伸的中部,所述锁合器的所述顶部和所述底部从所述中部突出,并限定在其间的间隙,使得当所述锁合器位于其工作位置时,晶圆可伸入所述间隙内。
13. 根据权利要求12所述的晶圆载体,其中每个锁合器可相对所述主体绕基本竖直的锁轴在非工作位置与所述工作位置之间枢转,当所述锁合器位于所述工作位置时,所述锁合器的所述顶部和所述底部从所述锁轴突出至所述关联容纳部内。
14. 根据权利要求1所述的晶圆载体,其中所述锁合器具有比所述主体限定所述容纳部的那些部分低的热导率。
15. 晶圆载体,包括具有沿水平方向延伸且朝向相反的顶面和底面的主体,所述主体具有在所述顶面开口的复数个容纳部,每个这种容纳部都适于保持晶圆,使所述晶圆的顶面在所述主体的所述顶面暴露,所述主体包括由具有第一热导率的第一材料制成的主要部分,所述主要部分具有与所述容纳部对齐的竖直延伸的孔,所述主体进一步包括由具有第二热导率的第二材料制成的小部分,所述第二热导率高于所述第一热导率,所述小部分设置在所述主要部分的所述孔内,在所述主要部分与每个小部分之间,所述主体具有竖直延伸的热障,所述热障抑制所述主要部分与所述小部分之间水平方向上的热传导。
16. 根据权利要求15所述的晶圆载体,其中所述小部分限定凹入所述顶面的所述容纳部的底表面,所述小部分还限定所述底面的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





