[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201180043761.X | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN103098233A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 裵道园 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制造方法,所述方法包括:
在衬底上形成第一电极层;
在所述第一电极层上形成光吸收层;
在所述光吸收层上形成缓冲层;
对所述缓冲层进行退火以降低所述缓冲层中的氧含量;以及
在所述缓冲层上形成第二电极层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述退火包括快速热退火(RTA)。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,退火温度在250℃至400℃的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述退火在真空气氛或氢气氛中进行。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述缓冲层在所述退火之后的氧含量在2%的原子百分比至5%的原子百分比的范围内。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述缓冲层在所述退火之前的氧含量为6%的原子百分比或更多。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述缓冲层通过化学浴沉积(CBD)方法来形成。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述缓冲层包含CdS或ZnS。
9.一种太阳能电池,包括:
衬底;
在所述衬底上的第一电极层;
在所述第一电极层上的光吸收层;
缓冲层,形成在所述光吸收层上并且氧含量在2%的原子百分比至5%的原子百分比的范围内;以及
在所述缓冲层上的第二电极层。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其中,所述缓冲层包含CdS或ZnS。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180043761.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:扣板切割机
- 下一篇:铜杆乳化清洗液换热系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的