[发明专利]细胞培养用温度应答性基材及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180042162.6 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN103080295A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: 中山正道;冈野光夫 申请(专利权)人: 学校法人东京女子医科大学
主分类号: C12M3/04 分类号: C12M3/04;C08F293/00
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 田欣;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 细胞培养 温度 应答 基材 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种细胞培养用温度应答性基材,在基材表面被覆有嵌段共聚物,所述嵌段共聚物具有水不溶性聚合物链段与温度应答性聚合物链段结合的结构,在基材表面作为温度应答性聚合物部分以0.8~3.0μg/cm2的比例进行被覆。

2.根据权利要求1所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,在基材表面作为水不溶性聚合物部分以0.09~7.0μg/cm2的比例进行被覆。

3.根据权利要求1或2所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,基材表面具有相分离结构。

4.根据权利要求1~3的任一项所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,嵌段共聚物内的温度应答性聚合物含量为30~90wt%。

5.根据权利要求1~4的任一项所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,嵌段共聚物内的温度应答性聚合物的平均分子量为3000以上。

6.根据权利要求1~5的任一项所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,温度应答性聚合物包含聚N-取代丙烯酰胺衍生物、聚N-取代甲基丙烯酰胺衍生物、它们的共聚物、聚乙烯基甲基醚的任一个或两个以上。

7.根据权利要求1~6的任一项所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,温度应答性聚合物为聚N-异丙基丙烯酰胺。

8.根据权利要求1~7的任一项所述的细胞培养用温度应答性基材,其中,基材为单独的板状、或2种以上组合的形态。

9.一种细胞培养用温度应答性基材的制造方法,其特征在于,将具有水不溶性聚合物链段与温度应答性聚合物链段结合的结构的嵌段共聚物溶解或分散于有机溶剂中,通过旋转涂布将该嵌段共聚物溶液均匀地涂布于基材表面,并使其干燥。

10.根据权利要求9所述的细胞培养用温度应答性基材的制造方法,其中,嵌段共聚物是通过可逆的加成断裂链转移(RAFT)聚合得到的。

11.根据权利要求9或10所述的细胞培养用温度应答性基材的制造方法,其中,溶解嵌段共聚物的溶剂为乙腈与N,N-二甲基甲酰胺的混合液。

12.根据权利要求11所述的细胞培养用温度应答性基材的制造方法,其中,乙腈与N,N-二甲基甲酰胺的混合溶剂的混合比例按照体积比计为5:1。

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