[发明专利]存储元件的驱动方法及使用存储元件的存储装置

权利要求书

1.一种存储元件的驱动方法，

所述存储元件具有：

绝缘性基板，

第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上，

电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象；

通过施加电压脉冲，所述存储元件能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换，

所述存储元件的驱动方法的特征在于，

至少在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过插入串联连接的电阻体，从脉冲发生源经由所述电阻体向所述存储元件施加电压脉冲，来减小电阻值变化之后的电流值，

另外，通过施加所述电压脉冲，使得与从所述低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下，所述脉冲发生源与所述存储元件之间的电阻变大。

2.如权利要求1所述的存储元件的驱动方法，其特征在于，

从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下的所述电阻体的电阻值为2MΩ～0.5MΩ。

3.一种使用存储元件的存储装置，其特征在于，

具有存储元件和电压施加部；

所述存储元件具有：

绝缘性基板，

第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上，

电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象；

所述电压施加部，通过施加电压脉冲，使得在所述存储元件的所述第一电极与第二电极之间，进行从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态的转换以及从所述高电阻状态向所述低电阻状态的转换；

所述电压施加部具有：

脉冲发生源，产生规定电压的脉冲，

电阻体，用于至少减小在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换时所施加的电压脉冲使电阻值变化之后的流向所述存储元件的电流，

切换部，进行切换，使得与从所述低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下，在所述脉冲发生源与所述存储元件之间的电阻变大。

4.一种使用存储元件的存储装置，其特征在于，

具有存储元件和电压施加部；

所述存储元件具有：

绝缘性基板，

第一电极及第二电极，设置于所述绝缘性基板上，

电极间间隙部，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，具有纳米级的间隙，该纳米级的间隙用于通过向所述第一电极与所述第二电极之间施加规定电压而产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象；

所述电压施加部，通过施加电压脉冲，使得在所述存储元件的所述第一电极与第二电极之间，进行从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态的转换和从所述高电阻状态向所述低电阻状态的转换；

所述存储元件为多个，至少各自的存储元件分别与电阻体连接；

所述电压施加部具有切换部，所述切换部进行切换，使得与从所述低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下，在所述脉冲发生源与所述存储元件之间的电阻变大。

5.如权利要求3或者4所述的使用存储元件的存储装置，其特征在于，

从所述高电阻状态向所述低电阻状态转换的情况下的所述电阻体的电阻值为2MΩ～0.5MΩ。