[发明专利]微控制器及其控制方法无效
| 申请号: | 201180034240.8 | 申请日: | 2011-02-16 |
| 公开(公告)号: | CN102985916A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
| 发明(设计)人: | 小田原裕幸;三宅二郎 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | G06F15/78 | 分类号: | G06F15/78 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 控制器 及其 控制 方法 | ||
技术领域
本发明涉及微控制器及其控制方法,特别涉及具备非易失性存储器的微控制器。
背景技术
现有的单芯片微控制器,采用将以存储有用于对其自身进行动作控制的程序的EEPROM(电可擦可编程只读存储器:Electrically Erasable Programmable ROM)为代表的非易失性存储器作为程序存储器使用的形式。将这种非易失性存储器用作程序存储器使用的优点在于,容易通过电的操作实现EEPROM中存储的程序的变更。即,由用户自身仅对需要变更的存储区域的程序进行重写,不必特意变更掩模。由此,能够不依赖IC制造业者而抑制成本,迅速开发程序不同的单芯片微控制器。
但是,在将EEPROM用作非易失性存储器的情况下,具有上述优点的反面是:存在当从EEPROM读出程序代码而使单芯片微控制器动作时EEPROM的耗电量较大的问题。
作为用于解决这种问题的现有技术,公知有专利文献1记载的技术。专利文献1记载的技术,使用与非易失性存储器相比小容量的RAM。并且,该技术在执行用于特定动作时的小容量的程序的情况下,将动作所需的程序存储于低耗电的RAM,并且使耗电大的非易失性存储器为禁止状态。并且,专利文献1记载的技术,在小容量的RAM上执行程序。由此,专利文献1记载的技术,能够减少耗电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-105701号公报
发明概要
发明要解决的课题
但是,在专利文献1记载的技术中,在RAM上执行程序的情况下,首先需要将在RAM上执行的程序向RAM传送过去。因此需要另设用于传送程序的硬件或者软件。并且,由于RAM预先确定地配置于地址,因此在RAM上执行程序的情况下,需要执行分支命令等,使微控制器的执行PC向RAM的配置地址转变。其结果导致程序开发复杂化。因此,显著影响通过在RAM上执行程序而降低功率的优点。
发明内容
因此,本发明目的在于提供能够减少耗电并且降低程序开发复杂化的微控制器。
解决课题的手段
为了实现上述目的,本发明一方式的微控制器,具备:非易失性存储器,存储有用于控制上述微控制器的动作的程序;RAM;CPU,指定上述非易失性存储器的地址,并且执行上述非易失性存储器中存储的、该地址的程序;区域保持部,保持表示上述非易失性存储器的存储器区域中的一部分即指定区域的信息;有效信息保持部,保持表示上述RAM中存储的程序为有效的有效状态、以及为无效的无效状态中的一方的有效比特;以及RAM控制部,当通过上述CPU指定的上述地址处于上述指定区域的范围内时,进行RAM访问动作,当通过上述CPU指定的上述地址处于上述指定区域的范围外时,进行从上述非易失性存储器读出通过上述CPU指定的上述地址的程序、并将读出的程序向上述CPU输出的非易失性存储器访问动作,在上述有效比特表示无效状态的情况下,作为上述RAM访问动作,上述RAM控制部从上述非易失性存储器读出通过上述CPU指定的上述地址的程序,将读出的程序存储在上述RAM中,并且将上述有效比特变更为有效状态,在上述有效比特表示有效状态的情况下,作为上述RAM访问动作,上述RAM控制部将上述RAM中存储的上述程序向上述CPU输出。
根据该构成,本发明一方式的微控制器,当存在来自CPU的对非易失性存储器中存储的程序的读出请求时,将该程序在RAM中存储。并且,本发明一方式的微控制器,在以后从CPU读出该程序时,将RAM中存储的该程序向CPU输出。由此,本发明一方式的微控制器,能够降低对非易失性存储器的读出动作的发生频度因而能减少耗电。进而,本发明一方式的微控制器,能够根据来自CPU的读出请求,自动地将非易失性存储器中存储的程序向RAM传送。由此,CPU能够无需意识到RAM的存在而进行处理。因此,本发明一方式的微控制器,能够降低程序开发的复杂化。
并且,也可以是,上述微控制器还具备:模式保持部,保持表示上述微控制器的动作模式的信息,在上述模式保持部保持表示预先确定的第1动作模式的信息、并且通过上述CPU指定的上述地址处于上述指定区域的范围内的情况下,上述RAM控制部进行上述RAM访问动作,在上述模式保持部保持表示与上述第1动作模式不同的第2动作模式的信息的情况下,上述RAM控制部进行上述非易失性存储器访问动作。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180034240.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电镀槽
- 下一篇:一种金属有机物化学气相沉积装置





