[发明专利]在复合层内扩散金属颗粒的方法

权利要求书

1.一种扩散金属颗粒的方法，所述金属颗粒包含在先前沉积在基底上的复合层中，所述复合层还包含至少一种介电基质，其中所述金属颗粒向所述基底的扩散通过等离子体处理而实现。

2.如权利要求1所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述等离子体处理通过被称为低温等离子体的等离子体而实现，有利的是通过环境温度下的低温等离子体而实现。

3.如权利要求1和2中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述等离子体包含选自氦气、氩气、氙气、或这些气体的混合物的至少一种气体。

4.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述金属颗粒是选自银、铜、金、钛、铬、钽或这些金属的混合物的金属的颗粒。

5.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述复合层通过如下方法制备：

-同时沉积金属颗粒和介电基质；或

-顺序沉积至少一种介电基质和金属颗粒。

6.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述介电基质是通过湿法(浸渍、溶胶-凝胶)或干法(PVD、CVD)，有利地通过PVD制备的复合层。

7.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述介电基质是介电氧化物，更有利地是硅氧化物SiO_x。

8.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述基底由玻璃、或硅、或聚合物制成。

9.如上述权利要求中任一项所述的金属颗粒扩散方法，其特征在于所述等离子体处理通过如下条件实施：

-在PECVD反应器中，

-利用氦气，

-具有0至2.45GHz，优选10kHz至450kHz的频率，

-持续1秒至60分钟，优选15秒至15分钟的时间段，

-施加在阴极的功率为0.01W/cm²至10W/cm²，特别是0.01W/cm²至1W/cm²，

-15℃至45℃的温度范围。

10.等离子体在具有结合金属颗粒的复合层的基底附近用来获得所述金属颗粒向所述基底的扩散的用途。

11.如权利要求10所述的等离子体的用途，根据所述用途，所述复合层由金属颗粒分散于其内的介电基质形成。

12.如权利要求10所述的等离子体的用途，根据所述用途，所述复合层由金属颗粒沉积于其上的介电基质形成。