[发明专利]芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种芯片用树脂膜形成用片材，其具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且

所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)。

2.根据权利要求1所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，吸杂剂(C)选自由重金属钝化剂(C1)、有机螯合剂(C2)和铜离子捕获金属化合物(C3)组成的组。

3.根据权利要求1或2所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，如下定义的吸杂剂(C)的铜离子吸附能力为30％以上：

将吸杂剂1g加入到铜离子浓度为3ppm的氯化铜水溶液50g中，测定在121℃、2个大气压下放置24小时后的所述铜离子水溶液的铜离子浓度，利用下式求出铜离子吸附能力：

铜离子吸附能力＝(3ppm-残留铜离子浓度(ppm))×100/3ppm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，所述树脂膜形成层进一步含有着色剂(D)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，每100重量份构成所述树脂膜形成层的总固形物含有1～35重量份的吸杂剂(C)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的芯片用树脂膜形成用片材，其中，所述树脂膜形成层为半导体晶片或芯片的保护膜。

7.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，在表面形成有电路的半导体晶片的背面贴附权利要求1～6中任一项所述的芯片用保护膜形成用片材的树脂膜形成层，从而得到在背面具有树脂膜的半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，其进一步包含以下的工序(1)～(3)，且按照任意的顺序进行工序(1)～(3)：

工序(1)：将树脂膜形成层与剥离片材剥离，

工序(2)：将树脂膜形成层固化，

工序(3)：将半导体晶片和树脂膜形成层切割。

9.根据权利要求7或8所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述半导体晶片是在背面研削后将由背面研削产生的破碎层的厚度降低到50nm以下而得到的。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述树脂膜为半导体芯片的保护膜。