[发明专利]具有正交耦合器的等离子体供应装置

权利要求书

1.用于向等离子体负载供应功率的等离子体供应装置，所述等离子体供应装置具有至少一个正交耦合器，所述至少一个正交耦合器具有至少一个电容和至少一个电感并且适合用于将相对于彼此相移90°的相同频率的两个HF功率信号耦合到一起，分别在所述正交耦合器的第一有用信号连接部和第二有用信号连接部处作为有用信号供应HF功率信号，以形成能够在第三有用信号连接部处作为有用信号输出的耦合HF功率，至少一个有用信号连接部配置为用于第一阻抗，其特征在于所述至少一个正交耦合器具有配置为用于比所述第一阻抗高的第二阻抗的第四有用信号连接部，或其特征在于所述至少一个正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）仅具有三个有用信号连接部（1，2，3，251-253，261-263，291-293，611-613，621-623，711-713）。

2.根据权利要求1所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述第二阻抗是所述第一阻抗的至少四倍，优选地至少十倍。

3.根据权利要求1所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述正交耦合器的所述第四有用信号连接部配置为用于接近零的导纳。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）仅具有一个电容（C）和一个电感（L）。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）的至少一个电感（L）包括平面线圈。

6.根据权利要求5所述的等离子体供应装置，其中，所述电感（L）包括电路板（151）上的至少一个印制导体（152）。

7.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，磁场放大元件与至少一个电感关联。

8.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述正交耦合器（150）的至少一个电容（C）包括平面结构。

9.根据权利要求8所述的等离子体供应装置，其中，所述电容（C）包括电路板（151）上的平面结构。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其中，至少一个电感（L）和至少一个电容（C）包括布置在公共电路板（151）上的平面结构。

11.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）的电容（C）的电抗等于所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）的电感（L）的负电抗。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）的电感的电抗为并且其特征在于所述正交耦合器（150，250，260，290，610，620，710）的电容的电抗为

13.根据前述权利要求中的任一项所述的等离子体供应装置，其特征在于，阻抗匹配高频源（810-840）分别连接至两个有用信号连接部（611，612，621，622）。

14.根据权利要求13所述的等离子体供应装置，其特征在于，所述阻抗匹配高频源（810-840）分别包括具有四个有用信号连接部（511-514，521-524，531-534，541-544）、两个附加高频源（410-480）和端接电阻器（811，821，831，841）的第二正交耦合器（510，520，530，540），所述第二正交耦合器（510，520，530，540）的两个有用信号连接部（511，512，521，522，531，532，541，542）分别连接至所述附加高频源（410-480）之一，所述第二正交耦合器（510，520，530，540）的所述第三有用信号连接部（513，523，533，543）分别连接至所述第一正交耦合器（610，620）的一个有用信号连接部（511，612，621，622），并且所述第二正交耦合器（510，520，530，540）的所述第四有用信号连接部（514，524，534，544）连接至所述端接电阻器（811，821，831，841）。