[发明专利]制备高纯硅的方法

权利要求书

1.用于制备高纯硅的方法，其包括下列步骤：

· 提供含硅粉末，所述含硅粉末至少部分是在金属丝锯切硅块时产生的粉末，其中金属丝锯切硅块时产生的粉末含有硅颗粒和硬质材料颗粒，

· 将所述含硅粉末供入气流中，其中该气流具有足够高的温度，以使金属硅的颗粒从固态转变成液态和/或气态，并且其中该硬质材料颗粒在此温度下没有熔融，

· 从气流中收集和任选冷凝所形成的液态和/气态硅，其中硬质材料颗粒随气流排出，和

· 冷却所收集的液态和/或冷凝的硅，以便制成能够再次直接经受金属丝锯切过程的锭或块。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所述含硅粉末至少部分是在仅用经粘附的切削颗粒实施金属丝锯切硅块时产生的粉末。

3.根据权利要求1或2之一的方法，其特征在于，在将所述含硅粉末供入气流中之前，使该含硅粉末经受化学净化和/或机械净化。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，借助于等离子体发生器加热所用的气流。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，该气流是含氢气的气流或由氢组成的气流。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，在该气流中添加有在所选择的气体温度下热分解的硅化合物。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，将该气流导入反应器中，在所述反应器中进行该液态和/或气态硅的收集和任选冷凝。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，在冷却前，使该收集的液态硅经受真空处理。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，在冷却时，使收集的液态硅经受定向凝固。