[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：具有受光面和背面的半导体基板；具有第一导电型的第一半导体层；和具有第二导电型的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层在所述背面上形成，所述太阳能电池的特征在于：

在所述背面形成有槽，

在没有形成所述槽的所述背面形成有所述第一半导体层，

在所述第一半导体层和所述第二半导体层交替排列的排列方向上的所述槽的侧面和所述槽的底面形成有所述第二半导体层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：

所述侧面倾斜地与所述底面连接。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于：

所述侧面与所述底面呈圆弧状地连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述第二半导体层与所述侧面的结以及所述第二半导体层与所述底面的结是异质结。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述半导体基板是第一导电型。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于：

在所述背面上形成的所述第二半导体层在所述排列方向上的宽度比在所述背面上形成的所述第一半导体层在所述排列方向上的宽度宽。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述半导体基板是第二导电型，

在所述背面上形成的所述第二半导体层在所述排列方向上的宽度比在所述背面上形成的所述第一半导体层在所述排列方向上的宽度窄。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

在背面上，所述第一半导体层与所述第二半导体层接触。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

在没有形成所述槽的所述背面与所述槽的边界上，所述第一半导体层与所述第二半导体层接触。

10.一种太阳能电池，包括：

半导体基板；

形成在所述半导体基板上的第一半导体层；

绝缘层，形成在所述第一半导体层上，并且包括使所述第一半导体层露出的开口部；

第二半导体层，在所述半导体基板上与所述第一半导体层交替排列，并且覆盖所述绝缘层；

基底电极，形成在所述第一半导体层上和所述第二半导体层上，并且包括在所述绝缘层上将所述第一半导体层和所述第二半导体层电分离的分离槽；和

形成在所述基底电极上的集电极。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其特征在于：

所述第二半导体层在所述分离槽的底部露出。

12.根据权利要求11的任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

在没有形成所述分离槽的所述背面与所述槽的边界上，所述第一半导体层与所述第二半导体层接触。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的太阳能电池，其特征在于：

所述第一半导体层是p型导电型，

所述第二半导体层是n型导电型。

14.一种太阳能电池的制造方法，包括：

准备形成有第一半导体层和与所述第一半导体层交替排列的第二半导体层的半导体基板；

以覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的方式形成基底电极的工序；

形成将所述基底电极分离成与所述第一半导体层连接的第一部分和与所述第二半导体层连接的第二部分的分离槽的工序；和

使用电镀法在所述基底电极的所述第一部分上和所述第二部分上分别形成集电极的工序。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述第二半导体层以隔着绝缘层覆盖所述第一半导体层的端部的方式配置，

在所述绝缘层上形成所述分离槽。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

以使所述第二半导体层在所述分离槽的底部露出的方式形成分离槽。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：

所述基底电极构成为包括透明电极。