[发明专利]环境稳定化方法及激光处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及环境稳定化方法及激光处理装置，更详细而言，涉及在将基板搬入到激光处理装置后，当使基板旋转时，可以防止气体环境在旋转途中紊乱的环境稳定化方法及激光处理装置。

背景技术

先前以来，使线状的激光照射于非晶质半导体基板，同时使基板移动，当对基板全面施加激光处理时，为了使被激光照射的局部成为气体环境，现有技术的激光处理装置的气体喷射单元，是从狭缝状的气体喷射口朝向基板喷出气体(例如氮气)(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-294101号公报

发明内容

(发明要解决的问题)

图11～图15是说明图，用来表示以激光5沿着长方形基板P的长边扫描基板P的过程。另外，在图11中，接近激光5和气体喷射口6的基板P的短边称为第1边p1，依顺时针方向将下一个长边称为第2边p2，将下一个短边称为第3边p3，将下一个长边称为第4边p4。

如图11示意性所示，以激光5和气体喷射口6位于第1边p1的中央部附近的方式，将基板P搬入到激光处理装置。另外，在图11中，以使激光5和气体喷射口6位于突出到第1边p1的中央部外侧的密封盖8的端缘部的方式，将基板P搬入到激光处理装置，但是也可以以激光5和气体喷射口6位于第1边p1的中央部上或接近内侧的方式，将基板P搬入到激光处理装置。

在图11中，从气体喷射口6喷出的气体，接触到密封盖8的端缘部，使被激光5照射的局部成为气体环境。

在利用激光5开始基板P的扫描时，如图11的箭头y11所示，使基板P移动，如图12所示，使激光5和气体喷射口6位于相当于第1边p1的左半部分外侧的密封盖8的端缘部。

其次，如图12的箭头x11所示，使基板P移动，如图13所示，对基板P的左半部分进行激光处理。在对基板P的左半部分进行激光处理后，使激光5和气体喷射口6位于突出到第3边p3的左半部分外侧的密封盖8的端缘部。

其次，如图13的箭头y12所示，使基板P移动，并如图14所示，使激光5和气体喷射口6位于突出到第3边p3的右半部分外侧的密封盖8的端缘部。

其次，如图14的箭头x12所示，使基板P移动，并如图15所示，对基板P的右半部分进行激光处理。在对基板P的右半部分进行激光处理后，使激光5和气体喷射口6位于突出到第1边p1的右半部分外侧的密封盖8的端缘部。

然后，如图15的箭头y13所示，移动基板P，使基板P回到图11所示的位置。然后，从激光处理装置搬出基板P。

在利用激光5沿着基板P的短边扫描基板P的情况下，如图11所示，在将基板P搬入到激光处理装置后，使基板P以其中心作为旋转轴旋转90°，并如图16所示，使激光5和气体喷射口6位于突出到第2边p2的中央部外侧的密封盖8的端缘部。然后，与利用激光5沿着基板P的长边扫描基板P的情况同样地使基板P移动，利用激光5沿着基板P的短边扫描基板P。

图17表示如图11所示将基板P搬入到激光处理装置后，使基板P旋转至如图16所示的位置的途中的状态。

当如箭头α旋转时，气体喷射口6的端部N会突出到密封盖8之外，会使气体泄漏。

因此，存在的问题是，气体环境会紊乱，在使基板P旋转至如图16所示的位置后至气体环境稳定需要花费时间，不能立即开始扫描。

因此，本发明的目的在于提供在将基板搬入到激光处理装置后，当使基板旋转时，可以防止气体环境在旋转途中紊乱的环境稳定化方法及激光处理装置。

(解决技术问题的技术方案)