[发明专利]环境稳定化方法及激光处理装置无效
| 申请号： | 201180003297.1 | 申请日： | 2011-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN102549719A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 武田直树;伊达昭夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 环境 稳定 方法 激光 处理 装置 | ||
1.一种环境稳定化方法，其特征在于，用在激光处理装置(100)中，所述激光处理装置(100)包括：基板支撑单元(2、11、12、13、14)，具有基板支撑面用来支撑具有第1边(p1)至第4边(p4)的四边形的基板(P)，而且可以使所述基板支撑面在平行于所述基板支撑面的2维方向直线移动，而且可以使所述基板支撑面以垂直于所述基板支撑面的轴为中心进行旋转；四边形的密封盖(8)，以端缘部突出到被所述基板支撑面所支撑的基板(P)的周围的方式，被设置在所述基板(P)和所述基板支撑面之间；激光源(4)，用来使线状的激光(5)照射于所述基板(P)；和狭缝状的气体喷射口(6)，朝向所述基板(P)喷出气体，用来使被激光(5)照射的局部成为气体环境；在所述激光处理装置(100)中，以使所述气体喷射口(6)位于所述第1边(p1)的中央部附近的方式支撑基板(P)，接着以使所述基板(P)的中心接近所述气体喷射口(6)的方式使所述基板(P)直线移动，接着使所述基板(P)进行旋转。
2.根据权利要求1所述的环境稳定化方法，其特征在于，
所述直线移动和所述旋转并行地进行。
3.一种激光处理装置(100)，其特征在于包括：基板支撑单元(2、11、12、13、14)，具有基板支撑面用来支撑具有第1边(p1)至第4边(p4)的四边形的基板(P)，而且可以使所述基板支撑面在平行于所述基板支撑面的2维方向直线移动，而且可以使所述基板支撑面以垂直于所述基板支撑面的轴为中心进行旋转；四边形的密封盖(8)，以端缘部突出到被所述基板支撑面所支撑的基板(P)的周围的方式，被设置在所述基板(P)和所述基板支撑面之间；激光源(4)，用来使线状的激光(5)照射于所述基板(P)；狭缝状的气体喷射口(6)，朝向所述基板(P)喷出气体，用来使被激光(5)照射的局部成为气体环境；和控制单元(20)，以使所述气体喷射口(6)位于所述第1边(p1)的中央部附近的方式支撑基板(P)，以使所述基板(P)的中心接近所述气体喷射口(6)的方式使所述基板(P)直线移动，接着使所述基板(P)进行旋转。
4.根据权利要求3所述的激光处理装置(100)，其特征在于，所述控制单元(20)使所述直线移动和所述旋转并行地进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
