[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于：

具有：n型氮化物半导体层、多重量子阱层、p型氮化物半导体层、窗电极层、p侧电极和n侧电极，

其中，所述n型氮化物半导体层、所述多重量子阱层、所述p型氮化物半导体层、所述窗电极层和所述p侧电极，以此顺序层叠，

所述n侧电极与所述n型氮化物半导体层电连接，

所述窗电极层，具有单晶n型ITO透明电极膜和单晶n型ZnO透明电极膜，

所述p型氮化物半导体层，与所述单晶n型ITO透明电极膜接触，

单晶n型ITO透明电极膜，与单晶n型ZnO透明电极膜接触，

所述p侧电极，与所述单晶n型ZnO透明电极膜电连接，

所述单晶n型ITO透明电极膜不仅含有In还含有Ga，

单晶n型ITO透明电极膜，具有0.08以上0.5以下的Ga/(In+Ga)摩尔比，

单晶n型ITO透明电极膜，具有1.1nm以上55nm以下的厚度，

所述发光二极管，还具有在所述单晶n型ZnO透明电极膜上形成的多个单晶ZnO棒，

所述各单晶ZnO棒的下部，具有从所述单晶ZnO透明电极膜向所述n型氮化物半导体层去变尖的倒锥形。

2.一种使发光二极管发出光的方法，其特征在于：

具有以下的工序(a)～工序(b)：

准备权利要求1所述的发光二极管的工序(a)，和

对所述n侧电极与所述p侧电极之间施加电位差，使所述发光二极管发出光的工序(b)。