[实用新型]石英法篮

说明书

技术领域

 本实用新型涉及半导体工艺中的硅片处理装置，具体地说是一种在处理硅片表面铝层时可防止硅片浮起并相互粘贴的石英法篮。

背景技术

由于铝与硅的良好接触性，因此在现阶段铝被广泛用于芯片的电极。在半导体金属反腐蚀的工艺中，当铝作为电极时，需用磷酸去腐蚀铝层，磷酸与铝反应生成氢气，氢气会附着在硅片表面，直至氢气气泡大到一定程度后才会脱离，附着在硅片表面的氢气在一定的情况下会把硅片浮起，这样就会使插在花篮槽中的硅片粘在一起，影响铝层的继续腐蚀。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种可防止硅片浮起并相互粘贴的石英法篮。

本实用新型的目的是通过以下技术方案解决的：

一种石英法篮，包括法篮本体，法篮本体包括法篮横轴和法篮竖壁，法篮竖壁对称设置在法篮横轴的两端并与若干个法篮横轴构成半封闭的法篮本体，法篮横轴的侧壁内侧设有法篮槽，法篮槽内插有嵌入法篮本体的硅片，所述法篮竖壁的侧面上设有固定环，所述的固定环对称设置在法篮横轴两端的法篮竖壁上且固定环的轴心位于同一条中心线上，两个固定环通过穿过固定环的石英棒相连。

所述法篮竖壁的侧面上设有对称的固定环，所述的固定环位于法篮横轴的两侧。

所述的石英棒位于法篮横轴的两侧。

所述的石英棒与法篮横轴平行设置。

所述石英棒的一端设有棒柄，所述棒柄的外径大于固定环的内径，棒柄的相对端穿过两个对应的固定环并位于固定环的外侧。

所述法篮横轴的侧壁外侧设有提手。

所述的提手位于石英棒之间的法篮横轴上。

所述的法篮本体、固定环和提手采用石英制成。

本实用新型相比现有技术有如下优点：

本实用新型通过石英棒的设置可有效防止硅片的浮起和相互粘贴，并能缩短腐蚀时间，提高铝层图形线条的清晰度，提高生产效率。

本实用新型的结构设计合理、形状精致，具有较大的经济利益，适宜推广使用。

附图说明

附图1是本实用新型的结构示意图。

其中：1—法篮本体；2—法篮横轴；3—法篮竖壁；4—法篮槽；5—硅片；6—固定环；7—石英棒；8—棒柄；9—提手。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施例，进一步阐明本实用新型，应理解这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围，在阅读了本实用新型之后，本领域技术人员对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

如图1所示：一种石英法篮，包括石英制成的法篮本体1，法篮本体1包括法篮横轴2和法篮竖壁3，法篮竖壁3对称设置在法篮横轴2的两端并与若干个法篮横轴2构成半封闭的法篮本体1；法篮横轴2的侧壁内侧设有法篮槽4，法篮槽4内插有嵌入法篮本体1的硅片5。在法篮竖壁3的侧面上设有石英制成的固定环6，该固定环6对称设置在法篮横轴2两端的法篮竖壁3上且固定环6的轴心位于同一条中心线上；另外每个法篮竖壁3的侧面上都设有对称的固定环6，即每个法篮本体1上至少设有4个固定环，其中每个法篮竖壁3侧面上的固定环6都位于一根法篮横轴2的两侧。法篮横轴2两端的法篮竖壁3上设置的对应固定环6通过石英棒7相连，该石英棒7与法篮横轴2平行设置且在石英棒7的一端设有棒柄8，棒柄8的外径大于固定环6的内径，棒柄8的相对端穿过两个对应的固定环6并位于固定环6的外侧；当法篮本体1上设有4个两两对应的固定环6时，则穿过四个固定环6的两个石英棒7位于法篮横轴2的两侧。另外为了方便石英法篮的取放，在法篮横轴2的侧壁外侧设有石英制成的提手9，当当法篮本体1上设有4个两两对应的固定环6时，该提手9则位于两个石英棒7之间的法篮横轴2上。

本实用新型在使用时，当用磷酸去腐蚀硅片5表面的铝层时，磷酸与铝反应生成氢气，氢气附着在硅片5的表面，直至气泡大到一定程度后会脱离硅片5，在气泡脱离硅片5时，气泡将给硅片5一个上浮的浮力，由于固定环6和石英棒7的设置，使得硅片5所受到的浮力小于石英棒7给予硅片5的阻力，阻止硅片5的上浮和相互之间的粘贴，从而提高生产效率和产品质量。

本实用新型未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。