[实用新型]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

一个第一电极；

一个导电基底层，形成于该第一电极上；

一个反射层，形成于该导电基底层上；

一个第一电性半导体层，形成于该反射层上；

一个发光层，形成于该第一电性半导体层上；

一个第二电性半导体层，形成于该发光层上；

至少一个第二电极，形成于该第二电性半导体层上；其特征在于：

该第二电性半导体层下另设有至少一个第三电极，且该第二电极与第三电极之间设有至少一个连接通道，使该第二电极与第三电极得以电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电性半导体层上的第二电极数量与第二电性半导体层下的第三电极数量相同，每一个第三电极分别对应设置于每一个第二电极的下方，且该第二电极与第三电极之间皆设有连接通道。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电性半导体层上的第二电极的总面积小于第二电性半导体层下的第三电极的总面积。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电极的总面积小于第二电性半导体层面积。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电性半导体层下的第三电极被绝缘层所覆盖，以与该第一电性半导体层及反射层隔离。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电基底层的材料选自于由Cu、Al、Ni、Mo、W、Ti、Ag、Au、Co、Ta、W、Sn、In及 其合金所构成的族群中之一。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电基底层的材料选自于由硅、Ge、GaP、SiC、GaN、AlN、GaAs、InP、AlGaAs及ZnSe所构成的族群中之一。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光层的材料选自于由AlInGaN、InGaN、GaN、AlGaInP、InGaP、GaAs、InGaAs、InP及AlGaAs所构成的族群中之一。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该反射层的材料选自于由Ag、Al、Au、Rh、Pt、Cu、Ni、W、In、Pd、Zn、AlSi、Ni/Ag/Ni/Au、Ag/Ni/Au、Ag/Ti/Ni/Au、Ti/Al、Ni/Al、Ni/Ag及其合金所构成的族群中之一。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电极与第三电极的材料选自于由Cr/Au、Cr/Al、Cr/Pt/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Ni/Au、Al、Ti/Al、Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au；Ti/Al/Ni/Au、Al/Pt/Au、Al/Ni/Au、Al/W/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Pt/Al/Ti/Au、Ti/Pt/Al/Cr/Au、Ti/Al/Ti/Pt/Au、ITO、Ti/Al/Cr/Pt/Au及其合金所构成的族群中之一。

11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第二电极与第三电极是为相同的材料。

12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该第一电性半导体层为P型，第二电性半导体层为N型。

13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该导电基底层与反射层之间设有黏合层。

14.如权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，该黏合层成分包含Au、AuIn、AuSn其中一种。