[实用新型]一种基于动态零极点跟踪技术的LDO无效

专利信息
申请号: 201120147485.9 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN202110462U 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 周泽坤;胡志明;张雨河;石跃;明鑫;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 动态 极点 跟踪 技术 ldo
【权利要求书】:

1.一种基于动态零极点跟踪技术的LDO,包括误差放大器,缓冲器和摆率增强电路,其特征在于,还包括第一电容、第二电容和可变电阻,所述误差放大器的输出端与缓冲器的输入端相连接,缓冲器的输出端与摆率增强电路的输出端相连接,所述第一电容的一端接误差放大器输出端,另一端与可变电阻的一端相连接,所述第二电容的一端与误差放大器相连接,另一端与可变电阻的另一端相连接,并作为LDO的输出端。

2.根据权利要求1所述的基于动态零极点跟踪技术的LDO,其特征在于,所述误差放大器包括PMOS管M1、M2、Mb1、M7,M8,NMOS管M3,M4,M5,M6P管,其中Mb1作为尾电流源;M1,M2作为输入对管;M7二极管连接;M8镜像M7的电流并作为负载P管;M3,M4均二极管连接作为第一级负载;M5镜像M3的电流,M6镜像M4的电流,且M6管作为负载N管;M5与M7漏极相连;M6与M8漏极相连作为所述误差放大器的输出端。

3.根据权利要求1所述的基于动态零极点跟踪技术的LDO,其特征在于,所述缓冲器包括PMOS管Mb2、M9,其中,Mb2作为偏置电流管,M9作为源随器,Mb2的漏极与M9的源极相连接,并作为缓冲器的输出端;M9的栅极为缓冲器的输入端,漏极接地。

4.根据权利要求1所述的基于动态零极点跟踪技术的LDO,其特征在于,所述摆率增强电路包括PMOS管Ms、M16、M15,NMOS管M13、M14,其中,M16漏极和Ms的栅极接缓冲器的输出端,源极接LDO的输入电压,漏极接M14的漏极;M14二极管连接;M13镜像M14的电流,漏极接M15的漏极。

5.根据权利要求4所述的基于动态零极点跟踪技术的LDO,其特征在于,所述可变电阻由NMOS管M12、PMOS管M11、M10组成,其中,M12镜像所述摆率增强电路中NMOS管M14的电流;PMOS管M10栅极接NMOS管M12的漏极;PMOS管M11二极管连接,漏极接NMOS管M12的漏极,PMOS管M11源极和M10的源极相连接,并作为所述LDO的输出端。

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