[实用新型]超薄无引线的光MOS继电器

说明书

技术领域

本实用新型属于继电器制造技术领域，具体涉及一种超薄无输出引线的光MOS继电器。

背景技术

光MOS继电器是一种将发光器件、光电伏特发生器和场效应管封装在一个壳体内的光电隔离继电器，具有体积小、寿命长、可靠性高、耐恶劣环境、输入输出电压隔离特性优良等特点，正在大量取代传统小型继电器和隔离变压器，被广泛应用在自动控制、无线电通信领域以及航天、航空、地面装备的电气控制电路中，很有发展前景。传统的光MOS继电器安装方式为双列直插(DIP封装)或表面贴装(SMD封装)两种形式。DIP封装的光MOS继电器，由于印制电路板必须设计为焊孔形式，因此不适用于全表贴集成电路；SMD封装的光MOS继电器，虽可以应用于全表贴集成电路，但由于焊脚所占面积较大，不适用于密集表贴集成电路。

发明内容

本实用新型解决的技术问题：设计一种超薄无输出引线的光MOS继电器，适合高密度集成SMD印制电路板设计，且采用熔焊密封结构，全芯片化组装，结构紧凑，密封性优良，可靠性高。

本实用新型的技术解决方案：一种超薄无引线光MOS继电器，由陶瓷金属化管壳和金属管帽构成，陶瓷金属化管壳的外壁上具有片状金属管脚，陶瓷金属化管壳的上端口上具有环状金属焊接层，陶瓷金属化管壳内装有继电器输入部分和继电器输出部分，继电器输入部分位于继电器输出部分的上方，使继电器输入部分和继电器输出部分之间形成电气隔离，且继电器输入部分的输入端和继电器输出部分的输出端分别与片状金属管脚电气连接；所述金属管帽焊接在金属焊接层上将继电器密封。

所述陶瓷金属化管壳的外壁上具有6-8个对称排列的“L”型片状金属管脚，且“L”型片状金属管脚位于陶瓷金属化管壳的底面和前后端面上。

所述继电器输入部分由发光二极管芯片V1和V2组成；继电器输出部分由功率场效应管芯片V3、V4及光伏打电池组件芯片D1、D2组成.

所述片状金属管脚的表面均镀金处理；所述环状金属焊接层的表面及金属管帽与环状金属焊接层的结合面均镀金处理。

所述陶瓷金属化管壳的底面下部对称具有焊盘M和焊盘N，上部具有焊盘D、焊盘F和焊盘K，光伏打电池组件芯片D1、D2采用导电银胶分别粘接在焊盘F和焊盘D上，功率场效应管芯片V3、V4的D极分别焊接在焊盘M和焊盘N上，且功率场效应管芯片V3、V4及光伏打电池组件芯片D1、D2之间通过金丝键合线电气连接；所述陶瓷金属化管壳的内侧壁上具有两个对称的凸台，且两个凸台的上端面分别具有焊盘A和焊盘C；陶瓷电路板的下端面上对称具有焊盘a、焊盘b和焊盘c，发光二极管芯片V1、V2的负极采用导电银胶分别粘接在焊盘b和焊盘c上，发光二极管芯片V1、V2之间通过金丝键合线电气连接，陶瓷电路板下端面上的焊盘a及焊盘c分别与两个凸台上端面的焊盘A和焊盘C采用导电银胶粘接，并使发光二极管芯片V1、V2分别位于光伏打电池组件芯片D1、D2的正上方，使发光二极管芯片V1、V2分别与光伏打电池组件芯片D1、D2之间物理隔离；所述焊盘A、焊盘C、焊盘N、焊盘K、焊盘M分别与对应的片状金属管脚电气连接。

所述陶瓷金属化管壳内的所有焊盘的表面均镀金处理。

本实用新型与现有技术相比具有的优点和效果：

1、本实用新型外形简洁，无输出引线，适合高密度集成SMD印制电路板设计。

2、本实用新型为超薄产品，高度仅为3mm。

3、本实用新型采用混合微电路工艺，实现全芯片化组装，结构紧凑，可靠性高。

4、本实用新型陶瓷金属化管壳与金属管帽采用平行焊缝密封结构，密封性优良。

附图说明

图1为本实用新型电路原理图，

图2为本实用新型外形示意图，

图3为本实用新型继电器输入部分结构示意图，

图4为本实用新型继电器输出部分结构示意图，

图5为本实用新型继电器内部结构剖视图。

具体实施方式

结合附图1、2、3、4、5描述本实用新型的一种实施例。