[实用新型]一种GaN基发光二极管结构有效
| 申请号： | 201120097188.8 | 申请日： | 2011-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN202049992U | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴东海;李志翔;庄曜励 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底(21)和在蓝宝石衬底(21)上依次外延生长的N型氮化镓层(22)、有源发光层(23)及P型氮化镓层(24)，P型氮化镓层(24)的上方为透明导电层(25)，透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262)，N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261)；其特征在于，所述设置N型电极(261)的N型氮化镓层(22)平面上、两个发光二极管芯片之间不设置切割道(00)区域。
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