[实用新型]发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种发光二极管，特别是指一种可增加发光面积以及减少光源耗损的发光二极管。

背景技术

在中国台湾，发光二极管发展的非常迅速，不管是大至街道上的显示广告牌，或小至手机的指示灯，都已逐渐由LED取代传统光源，原因很简单，因为较省电，使用寿命长以及体积小...等优点，然而，该发光二极管的成品与工艺流程虽然已趋向稳定，但还是会有缺失，如图4及图5所示，为现有的发光二极管前视图及俯视图，包含：一P型磊晶层41、一发光层42、一N型磊晶层43、一缓冲层44、一基板45、一P型电极46以及一N型电极47，其晶粒制作为在基板45上以有机金属化学气相沉积法依序磊晶成长该缓冲层44、N型磊晶层43、发光层42以及P型磊晶层41，最后再电性耦合P型电极46以及N型电极47，完成整个工艺流程；当发光时，光源是由发光层42向P型磊晶层41的表面射出，由于该光源必须层层通过，使得光输出的路径较长，且该光源射出的面积也仅有P形磊晶层41的表面。

因此，如何设计出一种可增加发光面积的创作，乃为本案创作人所亟欲解决的一大课题。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效。

本实用新型的目的之二在于提供一种发光二极管，通过磊晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。

为达上述目的，本实用新型提供一种发光二极管，包括：一磊晶芯片、一P型电极以及一N型电极，该磊晶芯片的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽，该凹槽的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，该P型电极形成于该磊晶芯片上，该P型电极与该磊晶芯片电性耦合以及该N型电极形成于该磊晶芯片上，该N型电极与该磊晶芯片电性耦合。

其中，该磊晶芯片是由一P型磊晶层、一发光层以及一N型磊晶层由上而下依序结合而成。

其中，该P型电极设置于P型磊晶层表面。

其中，该P型磊晶层为铝砷化镓层。

其中，N型电极设置于N型磊晶层的底面。

其中，该N型磊晶层为铝砷化镓层。

本实用新型的有益效果，本实用新型通过磊晶芯片表面设有多个轮廓不规律的凹槽的特殊设计，可减少光输出路径以及增加发光面积，以达到提升发光效率的功效；通过磊晶芯片的顶面呈粗糙状，为非平坦式的设计，改变临界角，减少了布拉格全反射，减少光源的耗损，使出光效果佳。

附图说明

图1为本实用新型的发光二极管的前视图。

图2为本实用新型的发光二极管的俯视图。

图3为本实用新型的发光二极管的使用状态图。

图4为现有的发光二极管的前视图。

图5为现有的发光二极管的俯视图。

主要元件符号说明

1  磊晶芯片

10 凹槽

11 P型磊晶层

12 发光层

13 N型磊晶层

2  P型电极

3  N型电极

41 P型磊晶层

42 发光层

43 N型磊晶层

44 缓冲层

45 基板

46 P型电极

47 N型电极

具体实施方式

为了能够更进一步了解本实用新型的特征、特点和技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，惟所附图式仅提供参考与说明用，非用以限制本实用新型。

请参阅图1及图2所示，为本实用新型发光二极管的前视图以及俯视图，该发光二极管包括：一磊晶芯片1、一P型电极(P Electrode)2以及一N型电极(N Electrode)3。

该磊晶芯片1的顶面设有多个轮廓不规律的凹槽10，该凹槽10的表面呈粗糙状，且该磊晶芯片的顶面亦呈粗糙状，为非平坦式的设计，该P型电极2形成于该磊晶芯片4上，该P型电极2与该磊晶芯片1电性耦合以及该N型电极3形成于该磊晶芯片1上，该N型电极3与该磊晶芯片1电性耦合。

其中，该磊晶芯片1是由一P型磊晶层11、一发光层以12及一N型磊晶层13由上而下依序结合而成，该P型电极2设置于P型磊晶层11表面，该P型磊晶层11为铝砷化镓层(AlGaAs P Epi.Layer)，该N型电极3设置于N型磊晶层13的底面，该N型磊晶13层为铝砷化镓层(AlGaAs N Epi.Layer)。