[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201120003828.4 | 申请日： | 2011-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN201966212U | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 霍介光 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器，其特征在于，包括形成于衬底上的光电二极管；依次覆盖于所述光电二极管上的绝缘层和透明导电层；所述透明导电层具有负电压信号加载端。
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述透明导电层的厚度在的范围内。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述绝缘层的厚度在的范围内。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括连接于透明导电层的插塞，所述插塞与外部负电压信号源相连。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括用于向光电二极管传输电荷的传输管，所述传输管的输出端与光电二极管相连。
6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述传输管为MOS管。
7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述衬底为P型硅衬底，所述图像传感器还包括位于所述P型硅衬底上的多个P型阱区、以及形成于P型区中用于隔离各个显示单元的浅沟槽隔离区；所述显示单元包括第一区域和第二区域，所述MOS管位于显示单元的第一区域，所述光电二极管位于显示单元的第二区域。
8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，所述MOS管包括：位于所述P型阱区上的栅极和栅极电介质，包围所述栅极电介质和栅极的侧墙，以及位于所述栅极和栅极电介质下方P型阱区表面处的掺杂区。
9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包括：位于P型的硅衬底中、且连接于MOS管的N型深掺杂区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
