[发明专利]等离子显示屏中寻址电极及其制备方法无效
申请号: | 201110457806.X | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN102522293A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
发明(设计)人: | 王冲;张小芳 | 申请(专利权)人: | 四川虹欧显示器件有限公司 |
主分类号: | H01J11/26 | 分类号: | H01J11/26;H01J9/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;余刚 |
地址: | 621000 四川省绵阳市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子 显示屏 寻址 电极 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及等离子显示屏领域,尤其是涉及一种等离子显示屏中寻址电极及其制备方法。
背景技术
在PDP制造过程中,寻址电极的主流制造工艺是采用银颗粒和玻璃粉组成的电极浆料,经过印刷涂覆等工艺形成一层膜,再经过干燥,曝光,显影,剥膜,烧结等工艺才能形成寻址电极。然后,这种传统工艺形成的寻址电极有两个弊端。
一是银的浪费严重,印刷时会浪费一些银,在显影时更是浪费了大量的银,即使是进行回收,还是有很大的浪费,并且,银回收再处理也需要很多的成本。
二是由于传统工艺中电极内银是以颗粒形式存在的,这就使得银电极电阻率比较高。为了得到比较低的电阻,电极的厚度就比较大,印刷上前介质之后,有电极部分的介质就会比较薄,容易被击穿,为了避免击穿,就得增加介质厚度,牺牲光的透过率,降低了光效。
发明内容
本发明目的在于克服现有技术中寻址电极制备过程中银浪费严重,以及电极厚度比较后的不足,提供一种等离子显示屏中寻址电极及其制备方法。
在本发明的一个方面,提供了一种等离子显示屏中寻址电极的制备方法,包括以下步骤:在玻璃基板上印刷含有第一金属材料的浆料,形成第一电极部;将表面设置有第一电极部的玻璃基板浸渍在第二金属材料溶液中,在第一电极部的表面形成第二电极部;第二金属材料的化学活性小于第一金属材料。
进一步地,上述形成第一电极的步骤包括:将含有第一金属材料的浆料印刷在所述玻璃基板上,干燥后形成浆料层;根据所需形状,将第一金属层曝光、显影、烧结形成第一电极部。
进一步地,上述含有第一金属的浆料包括低熔点玻璃粉和第一金属,第一金属的重量为低熔点玻璃粉和第一金属重量之和的20%~70%。
进一步地,上述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。
进一步地,上述第一金属为Cu。
进一步地,上述第二金属为Ag,第二金属溶液的浓度为0.015~0.08mol/L。
在本发明的另一个发明,还提供了一种等离子显示屏中的寻址电极,包括:第一电极部,由含有第一金属材料的浆料印刷形成,且呈所需形状地设置在玻璃基板上;第二电极部,包裹在所述第一电极部的外周,由第二金属材料和位于最外层的所述第一电极部外表面的第一金属置换形成;第二金属的化学活性小于第一金属。
进一步地,上述含有第一金属的浆料包括低熔点玻璃粉和第一金属,第一金属的重量为低熔点玻璃粉和第一金属重量之和的20%~70%。
进一步地,上述第一金属为选自由Mg、Am、Dy、Ho、Er、Tm、Lu、Sc、Pu、Th、Np、Be、U、Hf、Al、Ti、Zr、V、Mn、Sm、Nb、Zn、Cr、Ga、Fe、Cd、In、Tl、Co、Ni、Mo、Sn、Tm、Pb、Cu、Tc、Po组成的组中的至少一种。
进一步地,上述第一金属为Cu。
进一步地,上述第二金属为Ag。
进一步地,上述寻址电极的厚度为0.5-5μm,宽度为30-90μm,其中第二电极部的厚度为0.05μ-3μm。
在本发明的另一个发明,还提供了一种等离子显示屏中寻址电极为上述的寻址电极。
本发明的有益效果:本发明所提供的等离子显示屏中寻址电极及其制备方法,通过采用低成本第一金属浆料替代银浆料进行印刷,干燥,曝光,显影,烧结等工艺,大大节省了银的使用,有效降低成本。并通过置换反应将类似于Ag的第二金属包裹在第一金属浆料层的外侧形成第二电极层,导电率得到了提高,可以有效降低寻址电极的厚度,间接减少了前板介质的厚度,提高了光效。
除了上面所描述的目的、特征和优点之外,本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图,对本发明作进一步详细的说明。
附图说明
附图构成本说明书的一部分、用于进一步理解本发明,附图示出了本发明的优选实施例,并与说明书一起用来说明本发明的原理。图中:
图1示出了根据本发明实施例寻址电极中第一电极部的结构示意图;以及
图2示出了根据本发明实施例的寻址电极中第一电极部和第二电极部的复合结构示意图。
具体实施方式
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