[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应管，包括：

基底；

鳍部，位于基底上；

其特征在于，

所述鳍部至少包括部分的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述鳍部两侧的基底之间的夹角为钝角。

2.如权利要求1所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述倾斜侧壁的斜率是变化的。

3.如权利要求1所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面至少包括一个梯形。

4.如权利要求1所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面是一个梯形。

5.如权利要求1所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面是一个梯形和一个矩形的组合，且所述梯形位于矩形的上部。

6.如权利要求5所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述矩形的高度为所述鳍部高度的0～0.5倍。

7.如权利要求1～6中任一项所述的鳍式场效应管，其特征在于，所述鳍部的材料为Si、SiGe或SiC中的一种。

8.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成鳍部，所述鳍部至少包括部分的倾斜侧壁，所述倾斜侧壁与所述鳍部两侧的基底之间的夹角为钝角。

9.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述倾斜侧壁的斜率是变化的。

10.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面至少包括一个梯形。

11.如权利要求10所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面是一个梯形。

12.如权利要求9所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的形成工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀气体包括Cl₂、HBr和O₂，形成所述鳍部的刻蚀工艺参数包括：压力为10～100mTorr，HBr的流量为200sccm，O₂的流量为由8～12sccm逐渐减少至0，Cl₂的流量为由280～300sccm逐渐减少至Cl₂的流量小于HBr流量的10％。

13.如权利要求12所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述O₂可用CH₂F₂替代。

14.如权利要求11所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的形成工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀气体包括Cl₂、HBr和O₂，形成所述鳍部的刻蚀工艺参数包括：压力为10～100mTorr，HBr的流量为200sccm，O₂的流量为8～12sccm，Cl₂的流量为由280～300sccm逐渐减少至Cl₂的流量小于HBr流量的10％。

15.如权利要求14所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述O₂可用CH₂F₂替代。

16.如权利要求8所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的沿垂直于所述鳍部的延伸方向的截面是一个梯形和一个矩形的组合，且所述梯形位于矩形的上部。

17.如权利要求16中所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述矩形高度为所述鳍部高度的0～0.5倍。

18.如权利要求16所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀气体包括Cl₂、HBr和O₂，且所述干法刻蚀包括形成梯形的第一刻蚀和形成矩形的第二刻蚀。

19.如权利要求18所述的鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述O₂可用CH₂F₂替代。