[发明专利]硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法无效
| 申请号: | 201110455722.2 | 申请日: | 2011-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN102522460A | 公开(公告)日: | 2012-06-27 |
| 发明(设计)人: | 杨建国;励旭东;张东;刘玉海 | 申请(专利权)人: | 巨力新能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 | 代理人: | 王葶葶 |
| 地址: | 072550*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 封装 组件 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法。
背景技术
硅基太阳能电池中涉及P型和N型半导体,P型半导体(P指positive,带正电):由硅通过特殊工艺掺入少量的三价元素(通常为B)组成,会在半导体内部形成带正电的空穴;N型半导体(N指negative,带负电):由硅通过特殊工艺掺入少量的五价元素组成,会在半导体内部形成带负电的自由电子。
太阳电池能量由光能转换为电能的基础是PN结的光生伏特效应。光照射到电池上产生电子一空穴对,电子一空穴对到达空间电荷区后,受内建电场的吸引,电子流入N区,空穴流入P区,结果使N区储存了过剩的电子,P区有过剩的空穴。它们在PN结附近形成与势垒方向相反的光生电场。光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外,还使P区带正电,N区带负电,在N区和P区之间产生电动势。
硅基太阳能电池片有P型硅基太阳能电池片和N型硅基太阳能电池片,P型硅基太阳能电池片是基于P型硅片,表面扩散磷元素形成N+层发射区的P型太阳能电池片,原理如图1所示。N型硅基太阳能电池片是基于N型硅片制造的N型太阳能电池片,表面扩散硼元素形成P+层发射区,原理如图2所示。
太阳能电池组件是由一个或者多个并联的硅基太阳能电池串封装后形成的,硅基太阳能电池串又是由一个或者多个硅基太阳能电池片串联形成的,现有的太阳能电池串均采用单一类型的电池片:如单一的P型硅基太阳能电池片或者单一的N型硅基太阳能电池片之间进行焊接电连接,这样,就需要将一个电池片的正面电极与相邻电池的背面电极相连,这样存在的问题是:(1)电池片之间必须留有间隙,通常为2毫米,这减少了组件的有效面积,降低了电池的转化效率;(2)由于焊带需要将一个电池片的正面电极和相邻电池片的背面电极连接,因此焊带需要弯折,参见图3和图4,在焊接过程中非常容易造成碎片。
发明内容
本发明的目的就是解决现有技术中存在的上述问题,提供一种减小组件封装过程中电池片之间距离,提高光电转化率,减少焊接过程中碎片的硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法。
为完成上述目的,本发明的技术解决方案是:一种硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法,其包括以下步骤:
(1)筛选功率、工作电流相同的N型硅基太阳能电池片和P型硅基太阳能电池片;
(2)将两个以上筛选出的N型硅基太阳能电池片和P型硅基太阳能电池片按照P-N-P-N…或者N-P-N-P…的顺序间隔排列;将相邻的N型硅基太阳能电池片和P型硅基太阳能电池片正面电极栅线与正面电极栅线之间由导电体焊接连接,背面电极栅线与背面电极栅线之间由导电体焊接连接,实现各太阳能电池片之间的串联连接,形成电池串;
(3)将上面形成的电池串一串或者两串以上由汇流条并联焊接连接后,再用EVA、玻璃、背板、框架、接线盒、硅胶进行组件封装。
上面所述硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法,其步骤(2)中使用的导电体都为焊带或者都为导电胶或者都为电路板焊接所使用的导电体;或者其中一个导电体为焊带,另一个导电体为导电胶;或者一个导电体为焊带,另一个导电体为电路板焊接所使用的导电体;或者一个导电体为导电胶,另一个导电体为电路板焊接所使用的导电体。
上面所述硅基太阳能电池片封装光伏组件的方法,其步骤(3)也可是:将上面形成的电池串一串或者两串以上由汇流条并联焊接连接后形成电池组,再将两组以上的电池组串联焊接连接后,再用EVA、玻璃、背板、框架、接线盒、硅胶进行组件封装。
本发明将原来单一采用N型或P型的硅基太阳能电池片封装组件的方法,改为同时采用两种类型的硅基太阳能电池片交替进行组件混合封装的方法,实现了太阳能组件的同面焊接,避免了焊带双向弯曲引起的碎片,降低了焊接的工艺复杂性。同时,电池的排布可以不留间隙,减小了组件封装过程中电池与电池之间的距离,减小了组件的总体面积,增加了组件的有效面积,提高了组件的光电转换率。通常的组件中,间隙面积约占组件面积(不含边框)的2%。因此,在采用本发明所述的技术后,可以使组件的单位面积功率提高2%以上。
附图说明
图1为P型硅基太阳能电池片工作原理示意图;
图中,虚线表示太阳光,1为正面电极,2为减反射膜,3为N型层,4为P型层,5为背电极;
图2为N型硅基太阳能电池片工作原理示意图;
图中,虚线表示太阳光,1为正面电极,2为减反射膜,3为N型层,4为P型层,5为背电极;
图3为现有的N型或者P型硅基太阳能电池片之间的正面电极栅线与正面电极栅线焊接结构示意图;
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





