[发明专利]掺杂薄膜层在衬底上的连续沉积的气相沉积装置和方法

权利要求书

1.一种用于将升华的源材料作为薄膜气相沉积在光伏(PV)模块衬底上的装置，所述装置包括：

沉积头；

第一进料管道，其构造为将源材料供给到所述沉积头中；

第二进料管道，其构造为将固体掺杂剂材料供给到所述沉积头中；

设置在所述沉积头中的容器，所述容器构造为用于从所述第一进料管道接受所述源材料；

加热的分配歧管，其构造为加热所述容器；和

分配板，其设置在所述容器下面，并位于通过所述装置传送的衬底的上表面的水平传送面上方的限定距离处，所述分配板包括贯穿其中的通道图案。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二进料管道构造为将所述掺杂剂材料供给所述容器。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一进料管道和所述第二进料管道连接在包括多个排放口的分配器上，所述多个排放口构造为将所述源材料和所述掺杂剂材料分配到所述容器中。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述分配器设置在所述沉积头的顶壁中的开口中。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述容器包括横向延伸的端壁和纵向延伸的侧壁，所述端壁与所述沉积头间隔开距离，使得所述升华的源材料主要作为横向延伸的前帘和后帘流过所述端壁，并向下穿过所述分配歧管。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述沉积头的各个纵向末端处还包括横向延伸的密封件，所述密封件限定用于通过所述装置传送的衬底的入口槽和出口槽，所述密封件设置在所述衬底的上表面以上的距离处，该距离小于所述衬底的表面和所述分配板之间的距离。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括设置在所述分配歧管和所述容器之间的碎屑护罩。

8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述加热的分配歧管设置在所述容器下面，并且其中所述分配歧管包括贯穿其中限定的多个通道，所述容器被所述分配歧管间接加热至足以使所述源材料在所述容器内升华的程度。

9.一种用于将升华的源材料作为薄膜气相沉积在光伏(PV)模块衬底上的装置，所述装置包括：

沉积头；

第一进料管道，其构造为将源材料供给到所述沉积头中；

第二进料管道，其构造为将掺杂剂材料作为固体供给到所述沉积头中；

设置在所述沉积头中的容器，所述容器构造为用于接受源材料；

设置在所述容器下面的加热的分配歧管，所述分配歧管包括贯穿其中限定的多个通道，所述容器被所述分配歧管间接加热至足以使所述源材料在所述容器内升华的程度；以及

分配板，其设置在所述容器下面，并位于通过所述装置传送的衬底的上表面的水平传送面上方的限定距离处，所述分配板包括贯穿其中的通道图案。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二进料管道构造为将所述掺杂剂材料供给所述容器。

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一进料管道和所述第二进料管道连接在包括多个排放口的分配器上，所述多个排放口构造为将所述源材料和所述掺杂剂材料分配到所述容器中。

12.一种用于使升华的源材料气相沉积，从而在光伏模块衬底上形成薄膜的方法，所述方法包括：

将源材料供给至沉积头内的容器；

将掺杂剂材料供给至所述沉积头，其中所述掺杂剂材料处于固态；

加热所述容器，以使所述源材料和所述掺杂剂材料升华；

在所述容器下面传送单独的衬底；和

将升华的源材料分配到所述衬底的上表面之上，使得所述衬底的前段和后段在传送方向上暴露于大致相同的气相沉积条件，从而在所述衬底的上表面上获得期望的基本均匀的薄膜层厚度。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掺杂剂材料被供给所述容器，并且其中所述掺杂剂材料随所述源材料一起升华。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述源材料通过第一进料管道而供给所述容器，并且其中所述掺杂剂材料通过第二进料管道而供给所述容器。