[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘层；

所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；以及

所述第一过渡区和所述第二过渡区上的源电极层和漏电极层；

其中，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率低于所述沟道区的电阻率，并且所述第一过渡区与所述源电极层之间形成欧姆接触，所述第二过渡区与所述漏电极层之间形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包括氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镓中的至少两种氧化物。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化锡锌中的其中一种。

4.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成互不相邻的第一过渡区和第二过渡区，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率比二者之间的沟道区的电阻率低；

在所述第一过渡区上形成源电极层，并在所述第二过渡区上形成漏电极层，所述源电极层与所述第一过渡区形成欧姆接触，所述漏电极层与所述第二过渡区形成欧姆接触。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述在氧化物半导体层上形成不相邻的第一过渡区和第二过渡区具体包括：

在所述氧化物半导体层上涂布光刻胶，通过光刻后，留下沟道区上方的光刻胶，对所述氧化物半导体层沟道区两侧没有光刻胶保护的部分进行离子注入或等离子体处理，以使所述氧化物半导体层两侧形成第一过渡区和第二过渡区。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层；

所述缓冲层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括互不相邻的第一过渡区和第二过渡区以及所述第一过渡区和第二过渡区之间的沟道区；

所述第一过渡区和所述第二过渡区上的源电极层和漏电极层；

所述源电极层和所述漏电极层上的栅极绝缘层；以及，

所述栅极绝缘层上的栅电极层，

其中，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率低于所述沟道区的电阻率，并且所述第一过渡区与所述源电极层之间形成欧姆接触，所述第二过渡区与所述漏电极层之间形成欧姆接触。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包括氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镓中的至少两种氧化物。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌、氧化铟锌、氧化铟锡锌中的其中一种。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成氧化物半导体层；

在所述氧化物半导体层上形成不相邻的第一过渡区和第二过渡区，所述第一过渡区和所述第二过渡区的电阻率比二者之间的沟道区的电阻率低；

在所述第一过渡区上形成源电极层，并在所述第二过渡区上形成漏电极层，所述源电极层与所述第一过渡区形成欧姆接触，所述漏电极层与所述第二过渡区形成欧姆接触；

在所述源电极层和所述漏电极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极层。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述在氧化物半导体层上形成不相邻的第一过渡区和第二过渡区具体包括：

在所述氧化物半导体层上涂布光刻胶，通过光刻后，留下沟道区上方的光刻胶，对所述氧化物半导体层沟道区两侧没有光刻胶保护的部分进行离子注入或等离子体处理，以使所述氧化物半导体层两侧形成第一过渡区和第二过渡区。