[发明专利]太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201110450134.X | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN103187477A | 公开(公告)日: | 2013-07-03 |
发明(设计)人: | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池的制备方法,其包括以下步骤:
步骤a,提供一圆柱状硅基材;
步骤b,切割所述圆柱状硅基材,形成多个圆片状的硅片;
步骤c,对每一硅片进行掺杂形成多个圆片状的P-N结预制体,所述圆片状的P-N结单元预制体包括层叠且接触设置的圆片状的一第一硅层及一第二硅层;
步骤d,沿上述各层的层叠方向切割所述圆片状的P-N结预制体得到至少一第一P-N结结构体和多个第二P-N结结构体,每一第二P-N结结构体具有一弧形面;
步骤e,将所述多个第二P-N结结构体沿一直线依次设置使多个第二P-N结结构体的弧形面并排,且每相邻两个第二P-N结结构体之间形成一电极层,使多个第二P-N结结构体串联设置,得到太阳能电池预制体。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤e之后进一步包括一步骤f,所述太阳能电池预制体的两端,在每一端形成一收集电极,得到太阳能电池。
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池中多个第二P-N结结构体的弧形面并排在一起构成一大的弧形面,用作所述太阳能电池的直接接受外界光线的受光端面。
4.如权利要求3所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤f之后进一步包括一步骤g,将多个所述太阳能电池结合在一起得到太阳能电池组,该太阳能电池组中所述多个太阳能电池相互并联连接。
5.如权利要求4所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述太阳能电池组中多个所述太阳能电池的弧形面连接在一起构成波浪形的面,以构成所述太阳能电池组的受光端面。
6.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤e中,所述电极层通过真空蒸镀法或磁控溅射法形成于相邻两个第二P-N结结构体之间。
7.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述第二P-N结结构体进一步包括一切割面,所述切割面与所述弧形面相连续且相交形成两个间隔的交叉线。
8.如权利要求7所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述多个第二P-N结结构体的切割面并排在一起构成所述太阳能电池的放置面。
9.如权利要求8所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤f之后进一步包括一步骤h,于所述太阳能电池的放置面进一步设置一反射元件。
10.如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤h中,所述反射元件为金属反射元件,且与电极层电绝缘设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的